一种简化的高压VDMOS静态物理模型.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 一种简化的高压VDMOS静态物理模型 鲍嘉明，孙伟锋，赵野，陆生礼 (东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，江苏南京210096) 摘要：本文对于VDMOS漂移区中由泊松方程得到的解析解，通过进行一些近似处理， 将其由一个关于电场的隐含表达式转化为近似的电场的显式表达式，这样就在较大程度 上简化了模型的计算过程，从而得到了一种简化的VDMOS静态物理模型。器件模拟软件 MEDICI的模拟结果验证了本文简化模型的计算精度，可以看到，虽然简化模型是经过近 似处理得到的，但是其计算精度依然是较高的。 关键词：VDMOS，静态物理模型，泊松方程 A ified simpl Steady’__‘StatePhysical VDMOSModel Bao i Jiaming，SunWeifeng，ZhaoYe，LuShengl ASIC Research (National EngineeringCenter，SoutheastUniversity， System Nanjing，Jiangsu210096，China) Abstract：Inthe solutionof inthedrift paper，theanalytic poissonequation foraVDMOS isan formula electric region transistor，whichimplicit concerning field transformedintoan formula electriC intensity，iS explicit concerning field the methodSOasto the intensityby approximate simplifycomputational ofthemodeltoa certainextent． a ified procedure Consequently，simpl VDMOSmodeliS simulationsthe steady—statephysical proposed．MEDICIsupport modelinthe themodeliS the derived simplified paperthough by approximate method． Keywords：VDMOS，steady—statephysicalmodel，poissonequation 1．引言 图1中的B区，泊松方程一般是没有解析 现有的VDMOS静态物理模型一般是根解的。该模型中就忽略了载流子的密度分 据载流子的输运特性，将整个VDMOS器件布，这样就可以直接得到B区的电压降， 分成两个部分：双扩散的MOS晶体管—— 而不需要求解泊松方程。然而，事实上在 沟道区和轻搀杂的漏端——漂移区，然后 A区和B区，甚至在C区的一部分，电子 对沟道