光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术.pdfVIP

第27卷增刊 2006年12月 半导体学报 CHINESE JoURNAL 0F SEMICoNDUCToRS V01．27 Supplement Dec．。2006 光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术* 陈宝钦’ 刘 明 徐秋霞 薛丽君 李金儒 汤跃科 赵 珉 刘珠明 王德强 任黎明 胡 勇 龙世兵 陆 晶 杨清华 张立辉 牛洁斌 (中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室，北京 100029) 摘要：介绍如何实现光学和电子柬曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术，包括：(1)光学曝光系统与电子束曝光 系统的匹配技术；(2)投影光刻和JBx．5000LS混合曝光技术；(3)接触式光刻机和JBX．5000LS混合曝光技术；(4) 大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术；(5)电子柬与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术．该技术 已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作，实现了20nm线条曝光，研制成功了27nm cMOS器件；进行了 50nm单电子器件的演试；并广泛地用于100nm化合物器件和其他微／纳米结构的制造． 关键词：微光刻技术；微纳米加工技术；电子束直写；匹配与混合光刻技术 EEACC：2500；2550G 中图分类号：TN305．6 文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2006)s0．0001．06 1 引言 中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术 研究室拥有美国产GcA 3600F图形发生器和GCA 3696分步重复精缩机、日本产JEoL JBX 6AII电 子束曝光系统和JEoL JBX 5000LS电子束光刻系 统及美国应用材料公司捐赠的ETEC MEBES 4700S E-beam pattern generator system组成的微 光刻技术实验室，见图1．为满足科研和生产的需 要，长期以来我们一直开展光学光刻系统的分辨率 增强技术和电子束直写技术研究，并取得了很好的 应用效果．电子束直写(electron-beam direct writ． ing technology)是传统的深亚微米及纳米加工技术 的重要手段，JBX 5000LS电子束光刻系统最细的 电子束斑可达到8nm，具有很高的电子扫描成像精 度．但是电子束光刻技术要应用于纳米尺度微小结 构的加工和集成电路的光刻，必须解决几个关键的 技术问题：一是由于电子在抗蚀剂和基片中的散射 和背散射现象造成的邻近效应问题；另一个是电子 束高精度扫描成像曝光效率很低的问题；再一个就 是电子抗蚀剂和电子束曝光及显影、刻蚀等工艺技 术问题．实践证明电子束邻近效应校正技术、电子束 曝光与光学曝光系统的匹配、混合光刻技术和抗蚀 剂曝光工艺优化技术的应用是一种提高电子束光刻 系统实际光刻分辨能力的非常有效的办法．有关“电 子束邻近效应校正技术”和“电子束光刻常用的抗蚀 剂工艺技术研究”我们已经发表了专题论文，本文将 重点介绍光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合 光亥0技术(match＆mixed lithography technology between E_beam 1ithography system and optical lithography system)的问题．电子束曝光技术由于 它的束斑尺寸可以从微米级至纳米级，实用范围广 是实验室条件下进行亚微米至纳米级光刻技术开发 与研究的理想工具．由于高斯束电子束曝光系统通 常要采用较细的束斑进行超精细图形扫描曝光，图 形精度要求越高，选择用于描绘图形的束斑要求越 细，相应的束流密度越小，在同样感光灵敏度条件下 就需要越长的曝光时闯．因而精度和扫描效率的矛 盾成为电子束光刻的主要矛盾，解决这个问题的关 键技术就是解决电子束光刻系统和目前生产效率较 高的光学光刻系统的匹配和混合光刻的技术问题， 办法是大部分工艺由投影光刻机曝光或接触式曝 光，超精细图形和套刻精度要求特别高的图形层采 用JBX．5000LS电子束直写曝光．我们主要开展如 下研究工作：(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的 匹配技术；(2)投影光刻和JBX．5000LS混合曝光技 术；(3)接触式光刻机和JBx．5000LS混合曝光技 术；(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光 技术；(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记 制作技术．这些技术已广泛地应用于国内需要进行 微制造和微纳米加工技术的各个领域，我们应用这 *国家重点基础研究发展规划(批准号：G2000036504)和国家自然科学基金(批准号6037602060236010资助项目 t通信作者，Email：chenbq@ime．ac．cn 2005．10．11收到，2006