第1章 半导体器件讲义.pdf

第 1 章 双极型半导体器件 用半导体材料制成的电子器件统称为半导体器件。半导体器件是20世纪50年代发展起来的，特别是 1948年晶体管（Transistor）的发明，对电子技术的发展起到了决定性的作用。半导体器件根据参与导电的 载流子种数分为双极型和单极型半导体器件两大类型。双极型半导体器件是有两种载流子参与导电的半导 体器件，单极型半导体器件仅有一种载流子参与导电的单半导体器件。 本章的基本任务是介绍半导体材料的基本性质，PN结及其导电性，半导体二极管(以下简称二极管)和 双极型半导体晶体管(下面介绍均称晶体管)的工作原理、特性曲线和主要参数，而对半导体器件内部的详 细的物理过程则只作一般的讨论。 1.1 半导体的基本知识 按导电能力的不同，物体有导体、半导体和绝缘体之分。 导体——容易传导电流的材料称为导体。 绝缘体——几乎不传导电流的材料称为绝缘体。 半导体——导电能力介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。 本征半导体——化学成分纯净的半导体。典型的半导体有硅(Si)和锗(Ge)，以及砷化镓(GaAs)等。硅和 锗在元素周期表上是四价元素，砷化镓则属于半导体化合物。由于绝大多数半导体的原子排列呈晶体结构， 所以由半导体构成的管件也称晶体管。 1.1.1 本征半导体及其导电性 本征半导体是化学成分纯净的半导体，它在物理结构上有多晶体和单晶体两种形态，制造半导体器件 必须使用单晶体。对制造半导体器件的材料纯度要求很高，要达到99.9999999%，常称为“九个9”。在制造 单晶体的过程中会进一步提高材料的纯度，单晶体不但纯度高，在晶格结构上也应该是没有缺陷的。用这 样的单晶体制造的器件才能保证质量。 1.电子空穴对 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的 4 个电子称为价电子。它们分别与周围的 4 个原子的价电 子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为这些原子所束缚，在空间形成排列有序的晶格。 这种结构的立体和平面示意图见图 1-1。 a) b) 图1-1 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 a) 硅晶体的空间排列 b) 共价键结构平面示意图 当导体处于热力学温度 0 ℃时，导体中没有自由电子。当温度 升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原 子核的束缚，成为自由电子。这种现象称为本征激发（也称热激发）。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空 位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的电量 相等，通常称呈现正电性的这个空位为空穴。 因热激发而出现的自由电子和空穴是成对出现的，称为电子空 穴对。一部分游离的自由电子在经过空穴附近时，也可能被空穴所 图1-2 本征激发和复合的过程 1 俘获，称为复合，见图1-2。本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。此时，半导体中载流子的浓度 不变。 2 空穴的移动 自由电子的定向运动就形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，空穴的运动是靠相邻共 价键中的价电子依次充填空穴来实现的。空穴移动的示意图见图1-3。例如 A 处的空穴被 B 处的电子所 充填，B处产生一个新的空穴，同时A处产生复合，接下来，B处的空穴被C处的电子所充填，同时C处产生 一个空穴，B 处产生复合，如 此不断进行，空穴于是靠着相邻共价键中的价电子依次充填而产生运动。 DC B A B C 图1-3 空穴在晶格中的移动 1.1.2 杂质半导体 在本征半导体中掺入某种元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三 价或五价元素，掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。要注意，这里的杂质半导体是在提纯的本征半导 体中掺入微量的三价或五价元素而得到的，不是普通意义上的含有多种任意杂质的半导体。可以认为掺入 杂质后，半导体的晶格结构不变。 1. N 型半导体 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N 型半导体,也称电子型半导体。因五价杂质原 子中只有 4 个价电子能与周围 4 个半导体原子中的价电子形 成共价键，而多余的 1 个价电子因无共价键束缚而很容易成 为自由电子。N 型半导体的结构示意图见图 1-4。 在 N 型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质 原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 因热激发形成的是电子空穴对，电子空穴对中的空穴是 少数载流子，电子空穴对中的电子是多数载流子，它与掺杂 形成的多数载流子混在一起。但由热激发形成的自由电子虽 然是多数载流子，但其数量远远少于由掺