第二章之二--晶体缺陷检测.ppt

利用SIMS进行器件失效分析 分辨率 放大倍数 0.1－0.2nm 106数量级以上。 透射电镜实物图片 2、扫描电子显微镜(SEM) 光学显微镜与电子显微镜的性能比较 显微镜的分辨率：d＝0.61×λ/（nsinα） 3、扫描隧道电子显微镜(STM) 扫描隧道显微镜(STM) 是一种利用量子理论中的隧道效应探测物质表面结构的仪器。 扫描隧道显微镜可以定位单个原子，使人类第一次能够实时地观察单个原子在物质表面的排列状态和与表面电子行为有关的物化性质，在表面科学、材料科学、生命科学等领域的研究中有着重大的意义和广泛的应用前景，被国际科学界公认为20世纪80年代世界十大科技成就之一。它于1981年由IBM苏黎世实验室的两位研究者发明，两位发明者因此荣获了1986年诺贝尔物理学奖。　　 此外，在低温下（4K）可以利用探针尖端精确操纵原子，可以在各种样品表面上进行直接刻写、光刻以及诱导淀积和刻蚀等，因此它是纳米科技重要的测量工具和加工工具。 用STM移动氙原子排出的“IBM”图案 用扫描隧道显微镜拍摄到的电子图像 STM主体的主要部分是极细的探针针尖。工作时，探针针尖和被研究的样品的表面是两个电极，使样品表面与探针针尖非常接近，并给两个电极加上一定的电压，就会形成隧道电流，二者的间距不同，隧道电流大小也不同。通过电子反馈电路控制隧道电流大小，探针针尖在计算机控制下对样品表面扫描，同时记录下扫描样品表面的原子排列图象。 * * * * 第二章 晶向与晶体缺陷检测 二、晶体缺陷检测 （一）晶体缺陷检测的重要性 （二）晶体缺陷的种类 点缺陷——空位、间隙杂质原子 （主要） 线缺陷——位错 （主要） 面缺陷——堆垛层错、挛晶界、晶界等 体缺陷——孔洞、夹杂物等 半导体加工过程中的二次缺陷 （1）点缺陷 晶格中点缺陷常常是外来原子或杂质原子造成的。 单晶硅中点缺陷包括： 有意掺入电活性杂质（如P，B) 控制电导率和导电类型 氧，碳，硼杂质 来源于气态生长、化学试剂、石英玻璃 成为硅体内自间隙原子，并诱生出位错 和层错等缺陷，影响晶体整体完整性、载流子浓度 以及少子寿命，并容易导致器件漏电。 重金属杂质（Fe,Cu,Ni,Au,Al,Co等) 来源于硅片生长、加工（不锈钢）、 清洗、金属电极制作过程 影响载流子浓度和少子寿命，导致器件失效。 （2）线缺陷——位错 位错是半导体中最主要的缺陷。位错产生的根本原因是晶体内部应力的存在，例如在晶体制备、后热处理等过程中，由于不均匀的加热或冷却，晶体内部存在应力就可产生位错。除此之外，杂质原子引起位错。刃型位错后发生滑移。 刃形位错形成示意图 滑移面 位错线 刃型位错后发生滑移 附加的原子或者受热不均 位错形成的一系列 透射电子显微镜照片 （3）面缺陷 a. 堆垛层错：由位错的相关原子组成的多余原子面。 螺型位错后发生堆垛 堆垛层错通常在外延生长层中观察到。一般要求外延层中的层错密度小于102/cm2。 b. 挛晶：从同一个界面生长出两种不同方向晶体 c. 晶界：具有很大取向差别的晶块结合时产生 一个硅圆柱锭的晶界 挛晶 （三）晶体缺陷检测方法 1、点缺陷的检测 电学性能测量——有意掺杂原子浓度的确定 如：电阻率测量，霍尔效应测量， 对应N型或P型掺杂浓度 少子寿命测试——金属杂质分析 二次离子质谱——金属杂质分析 原子吸收光谱——金属杂质分析 红外光谱吸收法——碳、氧杂质 红外光谱：测量C、O、N杂质含量 杂质C（替位）的最强红外吸收峰波长:16.4μm 杂质O （间隙）的红外吸收峰波长：9.1μm C 吸收最强 吸收次强 2、位错和层错的检测 腐蚀＋金相显微镜观测（简单常用的方法） X射线衍射法 （精确的方法） 电子显微镜 （1）检测基本原理 在适宜的腐蚀剂中，晶体表面靠近位错附近的区域其腐蚀速度要比其它区域大，腐蚀一定时间后就会形成凹下的坑，即所谓腐蚀坑，利用这个特性可进行位错和层错的显示。 2.1 腐蚀金相观察法 由于位错是一种线缺陷，晶格畸变是沿着一条线延伸下来的，贯穿于整个晶体，终止在表面或形成闭环，因此在表面的交点是一个点状小区域. (100)硅片表面的位错 (111)硅片表面的位错 （111）面 （100）面 （110）面