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环境压力对Si纳米结构的影响
现代显微学与纳米科技发展 张泽 电子显微学与纳米材料结构/性能科研究 低维/纳米材料 --- 金属,半导体, 陶瓷，复合; 量子阱/点; GMR, TMR; 铁电, …… SPM， 纳米尺度结构、成分、电子结构的综合分析 和同步辐射分辨率相当但具有纳米尺度空间分辨的能谱技术 Eliminate the magnetostatic contribution Interfacial Engineering: Magic on Magic 谢谢！ d F FM I FM Appl. Phys. Lett. 70, 3050 (1997) Appl. Phys. Lett. 78, 2026(2000) Appl. Phys. Lett. 78, 3103 (2000) Appl. Phys. Lett. 78, 3496(2000) J. Appl. Phys. 87, 6070 (2000) J. Appl. Phys. 88, 429 (2000) A few methods have been used to characterize the growth of ultra-thin oxide layers and revealed the importance of optimizing the plasma oxidation process and preventing oxidation of the underlying electrode，but no research has focused on the slight oxidation of top electrode, which is also important to the TMR. 主要相关国际进展 Ta cap FM NiFe (6nm) AlOx (wedge) AFM FeMn (12nm) Ta buffer FM NiFe (6nm) Al层最佳氧化的隧道结截面样品的高分辨像。几对白色的平行线标注出了NiFe电极中不同晶粒中的{111}面。可以看到底电极一层一层的(111)织构匹配生长，而顶电极则是多晶取向的三维岛状生长。 Influence can be neglected hologram Phase image Optimum-oxidized barrier MTJ The top interface is actually less sharp than the bottom interface. The top electrode is slightly oxidized in optimum-oxidized MTJ. Filled State at -2V 2 inch Si wafer 100nm STM 27nm STM 全同纳米团簇阵列 J. F. Jia et al., APL 80, 3186 (2002) J. L. Li et al., PRL 88, 066101 (2002) 幻数成簇+纳米模板 1.5nm 均匀纳米团簇和纳米点或颗粒有序阵列的生长 Co cluster ---Magic height (2ML) Applied Field (Gauss) Magnetic Moment (10-6 emu) 5 K Co QDs Fe Gd Cr(001) AF Cr Kubetzka et al., PRL 88, 057201 (2002) Soft and super- paramagnetic 纳米磁性/电子的自旋量子态探测 电化学自旋阀探针 I?? =I0(1+P) I?? =I0(1–P) P=(I??–I?? )/(I?? +I?? ) 自旋极化扫描隧道显微像/谱 Science 288, 1805 (2000) Science 292, 2053 (2001) 关键科学问题（2） Stipe, Rezaei, and Ho, PRL 82, 1724 (99) Acetylene/Cu(001) 单分子非弹性隧道谱 技术途径与关键问题 关键科学问题（3） 原子结构+单分子识别 十次准晶的输运性能沿周期与准周期方向存在明显各向异性 * Joseph J. Thomson; 1897年发现电子，1906年诺贝尔奖 志同道合的合作伙伴 照明系统 成像系统 电子光学信息传递系统 物镜系统 信号处理系统 K. Lu et al, Science, 304 (2004)422 纳米技术引起的 照明技术革命（LED） The width of the quantum well is 1.5 nm or three basal
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