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集成电路工艺课程设计
江南大学
物联网工程学院
《集成电路工艺课程设计》
cmos 制造工艺
姓 名: 李昕
学 号: 0301110105
专 业: 微电子
年 级: 1101
1、初始清洗
初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中,利用化学或物理的方法将在晶圆表面的尘粒或杂质
去除,防止这些杂初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中,利用化学或物理的方法将在晶圆表面
的尘粒或杂质去除,防止这些杂质尘粒,对后续的工艺造成影响,使得器件无法正常工作。
2 、前置氧化 (衬垫层)
利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜,目的是为了降低后续生长氮化硅薄膜工艺中的
应力(stress),氮化硅具有很强的应力,会影响晶圆表面的结构,因此在这一层氮化硅及硅
晶圆之间,生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与硅晶圆间的应力。
热生长氧化法:将硅片置于高温下,通以氧化的气氛,使硅表面一薄层的硅转变为二
氧化硅的方法。
3、淀积氮化硅
利用低压化学气相沉积(LPCVD )的技术,沉积一层氮化硅,用来做为离子注入的
mask 及后续工艺中,定义P 型井的区域。
低压化学气相沉积(LPCVD ):随着半导体工艺特征尺寸的减小,对薄膜的均匀性要求
以及膜厚误差要求不断提高,出现了低压化学气相淀积(LPCVD) 。低压化学气相淀积是指系
统工作在较低的压强下的一种化学气相淀积的方法。LPCVD 技术不仅用于制备硅外延层,
还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶硅薄膜的淀积,是一种重要的薄膜淀积技术。
4 、P 阱的形成
将光刻胶涂在晶圆上之后,利用光刻技术,将所要形成的P 型阱区的图形定义出来,
即将所要定义的P 型阱区的光刻胶去除掉。
光刻:光刻是集成电路制造过程中最复杂和关键的工艺之一。光刻工艺利用光敏的抗蚀
涂层(光刻胶)发生光化学反应,结合刻蚀的方法把掩模版图形复制到圆硅片上,为后序的
掺杂、薄膜等工艺做好准备。在芯片的制造过程中,会多次反复使用光刻工艺。现在,为了
制造电子器件要采用多达24 次光刻和多于250 次的单独工艺步骤,使得芯片生产时间长达
一个月之久。目前光刻已占到总的制造成本的1/3 以上,并且还在继续提高。光刻的主要工
艺步骤包括:光刻胶的涂覆,掩模与曝光,光刻胶显影,腐蚀和胶剥离。
5、去除氮化硅
将晶圆表面的氮化硅,利用干法刻蚀的方法将其去除掉。
干法刻蚀:干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术。它是硅片表面物理和化学两种
过程平衡的结果。在半导体刻蚀工艺中,存在着两个极端:离子铣是一种纯物理刻蚀,可以
做到各向异性刻蚀,但不能进行选择性刻蚀;而湿法刻蚀如前面所述则恰恰相反。人们对这
两种极端过程进行折衷,得到目前广泛应用的一些干法刻蚀技术,例如:反应离子刻蚀(RIE)
和高密度等离子体刻蚀(HDP) 。这些工艺具有各向异性刻蚀和选择性刻蚀的特点。
6、P 阱离子注入
利用离子注入的技术,将硼打入晶圆中,形成P 型阱。接着利用无机溶液,如硫酸或
干式臭氧(O3 )烧除法将光刻胶去除。
离子注入:离子注入是通过高能量的离子束轰击硅片表面,在掺杂窗口处,杂质离子被
注入到体硅内,而在其它不需掺杂的区域,杂质离子被硅表面的保护层屏蔽,从而完成选择
性掺杂。在离子注入过程中,电离的杂质离子经静电场加速打到硅片表面,通过测量离子电
流可严格控制注入剂量。注入工艺所用的剂量范围很大,可以从轻掺杂的1011cm2 到诸如
源/接触、发射极、埋层集电极等低电阻区所用的1016 cm2 。某些特殊的应用要求剂量大于
1018 cm2 。另一方面,通过控制静电场可以控制杂质离子的穿透深度,典型的离子能量范
围为5~200keV 。
7、P 阱退火及氧化层的形成
将晶圆放入炉管中,做高温的处理,以达到硅晶圆退火的目的,并且顺便形成一层n
型阱的离子注入mask 层,以阻止下一步骤中﹝n 型阱的离子注入﹞,n
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