集成电路工艺课程设计.pdf

江南大学 物联网工程学院 《集成电路工艺课程设计》 cmos 制造工艺 姓 名： 李昕 学 号： 0301110105 专 业： 微电子 年 级： 1101 1、初始清洗 初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方法将在晶圆表面的尘粒或杂质 去除，防止这些杂初始清洗就是将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理的方法将在晶圆表面 的尘粒或杂质去除，防止这些杂质尘粒，对后续的工艺造成影响，使得器件无法正常工作。 2 、前置氧化 （衬垫层） 利用热氧化法生长一层二氧化硅薄膜，目的是为了降低后续生长氮化硅薄膜工艺中的 应力(stress)，氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此在这一层氮化硅及硅 晶圆之间，生长一层二氧化硅薄膜来减缓氮化硅与硅晶圆间的应力。 热生长氧化法：将硅片置于高温下，通以氧化的气氛，使硅表面一薄层的硅转变为二 氧化硅的方法。 3、淀积氮化硅 利用低压化学气相沉积（LPCVD ）的技术，沉积一层氮化硅，用来做为离子注入的 mask 及后续工艺中，定义P 型井的区域。 低压化学气相沉积（LPCVD ）：随着半导体工艺特征尺寸的减小，对薄膜的均匀性要求 以及膜厚误差要求不断提高，出现了低压化学气相淀积(LPCVD) 。低压化学气相淀积是指系 统工作在较低的压强下的一种化学气相淀积的方法。LPCVD 技术不仅用于制备硅外延层， 还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶硅薄膜的淀积，是一种重要的薄膜淀积技术。 4 、P 阱的形成 将光刻胶涂在晶圆上之后，利用光刻技术，将所要形成的P 型阱区的图形定义出来， 即将所要定义的P 型阱区的光刻胶去除掉。 光刻：光刻是集成电路制造过程中最复杂和关键的工艺之一。光刻工艺利用光敏的抗蚀 涂层（光刻胶）发生光化学反应，结合刻蚀的方法把掩模版图形复制到圆硅片上，为后序的 掺杂、薄膜等工艺做好准备。在芯片的制造过程中，会多次反复使用光刻工艺。现在，为了 制造电子器件要采用多达24 次光刻和多于250 次的单独工艺步骤，使得芯片生产时间长达 一个月之久。目前光刻已占到总的制造成本的1/3 以上，并且还在继续提高。光刻的主要工 艺步骤包括：光刻胶的涂覆，掩模与曝光，光刻胶显影，腐蚀和胶剥离。 5、去除氮化硅 将晶圆表面的氮化硅，利用干法刻蚀的方法将其去除掉。 干法刻蚀：干法刻蚀是以等离子体进行薄膜刻蚀的技术。它是硅片表面物理和化学两种 过程平衡的结果。在半导体刻蚀工艺中，存在着两个极端：离子铣是一种纯物理刻蚀，可以 做到各向异性刻蚀，但不能进行选择性刻蚀；而湿法刻蚀如前面所述则恰恰相反。人们对这 两种极端过程进行折衷，得到目前广泛应用的一些干法刻蚀技术，例如：反应离子刻蚀(RIE) 和高密度等离子体刻蚀(HDP) 。这些工艺具有各向异性刻蚀和选择性刻蚀的特点。 6、P 阱离子注入 利用离子注入的技术，将硼打入晶圆中，形成P 型阱。接着利用无机溶液，如硫酸或 干式臭氧（O3 ）烧除法将光刻胶去除。 离子注入：离子注入是通过高能量的离子束轰击硅片表面，在掺杂窗口处，杂质离子被 注入到体硅内，而在其它不需掺杂的区域，杂质离子被硅表面的保护层屏蔽，从而完成选择 性掺杂。在离子注入过程中，电离的杂质离子经静电场加速打到硅片表面，通过测量离子电 流可严格控制注入剂量。注入工艺所用的剂量范围很大，可以从轻掺杂的1011cm2 到诸如 源/接触、发射极、埋层集电极等低电阻区所用的1016 cm2 。某些特殊的应用要求剂量大于 1018 cm2 。另一方面，通过控制静电场可以控制杂质离子的穿透深度，典型的离子能量范 围为5~200keV 。 7、P 阱退火及氧化层的形成 将晶圆放入炉管中，做高温的处理，以达到硅晶圆退火的目的，并且顺便形成一层n 型阱的离子注入mask 层，以阻止下一步骤中﹝n 型阱的离子注入﹞，n