氮化硅νSi-N伸缩振动的衰减全反射红外光谱研究.pdfVIP

PTCA(PART B: CHEM. ANAL.) 001: 10. 1l973/1bjy-hx201611001 |具验与研究 氮化硅 VSi-N伸缩振动的衰减全反射 红外光谱研究 王维l ，睛丽丽2 ，李中秋3 ，李永l ，于宏伟3 赞 (1.齐齐哈尔大学轻工与纺织学院，齐齐哈尔 161006; 2. 齐齐哈尔大学化学与化学工程学院，齐齐哈尔 161006; 3. 石家庄学院化工学院，石家庄 050035) 摘要:采用变温傅里叶变换衰减全反射红外光谱法(ATR-FTIR) ，在 313~393 K 温度范围 内，分别研究了 α- 氮化硅和卢氮化硅分子结构的红外一维光谱、红外二阶导数光谱和红外四阶导数 光谱，并针对氮化硅 Si-N 伸缩振动，利用二维相关红外光谱考察了温度变化对氮化硅分子结构 I 的影响。结果表明:在波数 950~850 cm- Si-N 伸缩振动模式 范围内，氮化硅主要存在着 I (νSi-:/ )。随着测定温度的升高，α 氮化硅 νSi-:，/红外吸收强度的变化顺序为 874 cm- 886 cm一1 I I I 880 cm- ，而卢氮化硅 νSi-N 红外吸收强度的变化顺序为 876 cm一1 880 cm- 890 cm- 。 ;α- 关键词:二维红外光谱 氮化硅;卢氮化硅;热变性 中固分类号: 0434.3 文献标志码:A 文章编号: 1001-4020(2016)11-1241-05 Study on the Stretching Vibration of Silicon Nitride (Si-N) Molecule by ATR-FTIRS WANG Wei l , SUI Li-UZ , LI Zhong-qiu3 , LI Yongl , YU Hong-weP 铮 (1. College 0/ Light Industry and Te:rtile , Qiqihαr University , Qiqihar 161006 , China; 2. College 0/ Chemical Engineeri晤， Qiqihar University , Qiqihar 161006 , Chilla; 3. School 0/ Chemical Engineering , Shijiazhuang College , Shij