不同偏置电压下SiGeHBTEarly电压的理论研究.PDF

　第 19 卷第 4 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 4　 V o l N o 　1998 年 4 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r 不同偏置电压下 SiGe HBT Early 电压的理论研究 钱　伟　金晓军　张　炯　林惠旺　陈培毅　钱佩信 (清华大学微电子所　北京　100084) 摘要　Early 电压V A 和直流增益 是双极器件在模拟电路中应用的重要参数, 本文研究了在 器件不发生大注入效应和雪崩倍增效应的条件下, SiGe HBT 中基区Ge 含量以及 V CE 对器件 的Early 电压V A 的影响, 并用数值计算的方法得到了在其它参数相同的情况下, 器件的 Early 电压V A 随基区中Ge 含量和偏置电压V CE 的变化规律, 表明Early 电压V A 是随V CE 和 Ge 含量 的增加而增加的. 这些结果对 SiGe HBT 在模拟集成电路中的设计和应用提供了指导. : 2560 , 2560 EEACC B J 1　引言 近年来随着器件外延技术和锗硅应变层制备技术的发展, 以 SiGe 应变层为基区的 SiGe HBT 得到了很大的发展, SiGe HBT 在高速、低温性能方面有优于 Si BJT 的特性, 并 且已逐步地运用在数字和模拟电路中. 运用能带工程, 通过对器件的优化设计, 在高频性能 [ 1, 2 ] 方面 的 已达到 116 , 达 120 . 和 远远地超过了 . SiGe HBT f T GH z f m ax GH z f T f m ax Si BJT SiGe HBT 在高速模拟电路中有 Si BJT 无法比拟的优越性. 而在模拟电路中一般要求双极 器件工作在放大区, 这时器件应用的两个重要参数是直流增益 和 Early 电压V A. 越大, 器件的电流放大性能越好, V A 越大, 器件的输出电阻越大, 性能越好. P rinz[ 3, 4 ] 等人对 SiGe HBT 基区中硼外扩散引起的V A 的变化进行了研究, 认为在基区 中Ge 均匀分布时, 工艺过程中引起的硼的外扩散在BC 结附近引入了电子的势垒, 反偏电 压 V CB 增加会使势垒降低, 集电极电流增加, V A 减小. 当V CB 增加到使势垒消失时, V A 会和 相同参数的 Si BJT 相同, 即基区中Ge 均匀分布时, 消除寄生势垒的影响后, 在此时的 V CB 下器件的V A 与 Ge 的含量无关. 实际上, 在 Si 三极管中, V CB 的变化引起器件的中性基区宽 度的变化和集电极电流的变化, V CB 进一步增加时, V A 是随V CB 的增加而增大的. 我们的研究 表明, 在 SiGe HBT 中, 由于基区中Ge 含量的不同, V A 随V CB 增加的速度是不同的. 钱　伟　男, 1970 年出生, 博士研究生, 从事半导体 材料生长、 器件和电路研究 SiGe SiGe 金晓军　男, 1966 年出生