数字集成电路设计作业2.docxVIP

5-1 假设电路中的电流由下式给出：I=VrefR如果电压Vref由精准的电压基准源提供，且不随温度变化。利用电阻温度系数确定电流温度系数。假设电阻采用N阱制作，参考图5-1绘制电流随温度的变化曲线。使用表4-1中给出的TCR1。 解：TCI1=1IdIdT=1IdIdRdRdT=1IdIdR?TCR1?R 又I=VrefR，代入上式得：TCI1=RVref-VrefR2?TCR1?R=-TCR1 查表4-1知，TCR1=2400ppm/℃ =0.0024/℃,故I=I0(1-0.0024(T-T0)) 作出II0-（T-T0) 图像如下： 5-5 假设器件长L为2，叉指宽度W为20，估算图5-18所示版图中源/漏区的面积和周长。 解：由图5-18，可以确定漏区为漏与各个栅之间的方块部分，即第一、二个栅之间所夹的部分和第三、四个栅之间所夹的部分。源区为剩下的部分。 估算源区面积为：AS=3?W?2L=240漏区面积为：AD=2?W?2L=160 单位为方块面积。 估算源区周长为：PS=2?W+2L?3=144漏区周长为：PD=2?W+2L?2=96 单位为单位长度。 5-6 参考对图5-21中NMOS器件的讨论，定性讨论PMOS器件的电容。要确保对PMOS器件工作在强反型和耗尽区时的描述清晰。（对照图5-21）绘制PMOS器件的等效图。 解： (1)给PMOS器件栅极提供一个负向电压，并保持源和漏的电位与衬底一致(地电位)。施加电压后吸附了栅氧化物下方的空穴，形成一个空穴的连续沟道，可以有效的将源/漏中的注入区域短接在一起。从栅极到地的电容为：,此时该器件工作在强反型区如图1所示（氧化物的电容不依赖于空穴横向扩散的程度）。 在栅极加正向电压，抵制空穴，阻止通道的形成，P+区的载流子在N阱里扩散，扩散长度为，栅极电容形成：,其中，，这两个电容称为CGDO和CGSO，。这种条件下，PMOS管工作在耗尽区，如图2所示。 6-1画出图6-20所示电路的vout（AC）的幅值和相位。假设MOS管是采用50nm工艺（见表5-1）制备而成的，并且工作在强反型区。用SPICE验证你的答案。 解：由于MOS管工作在强反型，等效于电容。又查表5-1知COX=25fF/μm2， 有：Ctot=COX?W?L=25×100×50×10-3×100×50×10-3fF=625fF 故：VoutVin=1jwCtotR+1jwCtot=11+jwRCtot，w=2πT=2πf， Vout=Vin1+jwRCtot=Vin1+(2πfRCtot)2 ∠Vout=-tan-1(2πfRCtot)， 仿真结果如图： 6-4 如果MOS 管的栅氧化层的厚度为40?，那么COX为多少？ 解:有：COX=?r??0tox 将?0=8.85aF/μm，?r=3.97，tox=40?代入上式得： COX=8.85×10-18×3.974×10-3F/μm2=8.784F/μm2 6-9 如果在栅氧化层-半导体界面处钠离子的污染浓度为100×109钠离子/cm2，那么习题6-8中的阈值电压会发生什么变化？ 解：由习题6-8知，没有钠离子污染时，阈值电压为0.8V，又由例6-4可知，有钠离子污染时，阈值电压：VTHN=0.8V-qpi(Na)COX=0.8V-1.6×10-19×100×109Ccm21.75fF=0.7V 6-15 证明图6-21所示的串联连接的MOS管工作起来与长度为单个MOS管长度两倍的单个MOS管相当。同样忽略体效应。 解：假设两个MOS管都工作在线性区，对M1，有 ID1=ID=KPn WL1 [(VG – VTHN)V1- V122] 也即IDL1KPn W=(VG – VTHN)V1- V122 同理，对于M2，有： ID2=ID=KPn WL2 [(VG –V1-VTHN)（VD2-V1）- （VD2-V1）22] 也即IDL2KPn W=(VG –V1–VTHN)（VD2-V1）-（VD2-V1）22 故有：IDL1KPn W+IDL2KPn W=VG – VTHNV1- V122+[(VG –V1–VTHN)（VD2-V1）-（VD2-V1）22] ID（L1+L2）KPn W = (VG – VTHN)VD2 - V122 就是长度为（L1+L2）的MOS管从漏端到源端的电流表达式。 当L1=L2=L时， ID=KPn W2L [(VG – VTHN) VD2 - V122] 10-5 对于图10-25所示的电路，试估算其输入与输出之间的延迟。采用50nm（短沟道）工艺。用SPICE验证估算结果。 解： a) 查表10-2可知，Ctot=Cox+CL=625aF+20fF=20.625fF 估计延时为：Tdelay=0.7RnC