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科技英语 存储器件原文与翻译(国外英文资料) 词语 六 铁电，[电]的铁电物质。铁电的挥发性的。易失，易变，挥发 双极的。双极性的混合的。混合的 路由器路由器动态的。动力学的，动态的 泄漏，漏，泄漏刷新诉刷新，更新 偏移诉弥补，抵消，N.偏移量面具，掩码，掩模，屏蔽 平版平版印刷的可擦除的。可擦除的，可抹去的 可编程的。可编程的紫外线（UV），紫外线，形容词。紫外线 软盘，软盘 磁记忆磁存储器 光学记忆光存储器 电子记忆电存储器 模块的格式模块形式 触发器双稳态多谐振荡器；触发器 在平行并行的，平行的 地址指针地址指针 还清带来利益，偿清 接口电路接口电路 高速缓冲存储器，高速缓冲存储器 额外的驱动附加驱动 数据比较器数据比较器 存储单元存储单元 沟道式电容器沟槽电容器 RAM随机存取存储器随机存储器 MOS（金属氧化物半导体）金属氧化物半导体缩写 CMOS（互补金属氧化物半导体）和互补金属氧化物半导体 静态随机存取存储器静态随机存储器 动态随机存取存储器动态随机存储器 只读存储器只读存储器 EEPROM电可擦除可编程只读存储器电可擦除可编程只读存储器 射极耦合逻辑射极耦合逻辑电路 内容可寻址存储器内容寻址存储器 算术逻辑运算单元逻辑运算单元 第3单元存储设备 记忆可以在机械，磁性，光学，生物和电子技术。磁记忆的例子是磁带、软盘、硬盘和ferroelectricrams。光存储器的例子是光盘，rewrittable CD。电子存储器在计算机设备中被广泛使用，因为它是最快的。对于速度不太重要的应用，磁性和光学技术经常被使用。 所有的电子记忆今天可以在单独的IC模块的格式，格式，或可以是IC的一部分作为宏功能orcell”。下面是一些电子存储器的概述。 触发器的触发器基本上是一个双状态电路，其中一个0或1状态可以驻留。因为它的简单，触发器非常快。触发器是数字电路和集成电路的基本元件。一个触发器将失去其状态时，电源电压被删除。 因此，它是挥发性的。 寄存器是一组并行触发器。通常寄存器是8，16，32或64位宽。通常寄存器用于保存数据、地址指针等。寄存器是不稳定的并且非常快，就像触发器一样。 表1。一 型 性能 读/写 非挥发性 速度 成本/位 触发器 单位寄存器。通常用作数字电路中的基本结构块。 是的 不 超快速 非常高 登记 带有字节、字或长字的触发器。用于复杂的芯片，如CPU 是的 不 超快速 非常高 SRAM 可寻址的触发器阵列。用于临时存储数据或高速缓存 是的 不 很快 高的 DRAM 可寻址的存储单元阵列。用于主计算数据存储 是的 不 快速的 中度 只读存储器 可寻址的硬连线单元阵列。芯片制造时的编程 是的 是的 很快 低 EEPROM 电可擦除可编程ROM的写入周期的数目是有限的。 是的 是的 低 高 静态随机存取存储器（SRAM）是一个可寻址触发器阵列。该阵列可配置为这样的数据出现在单位、4位，8bit，等格式。SRAM是简单，快速多变的触发器一样，它的基本存储单元的SRAM可以在单片机板（或关闭CPU芯片），其中所需的内存量很小，它不会支付给DRAM构建额外的接口电路。此外，SRAM通常被用作高速缓存，因为它的高速。 SRAM的速度等级很多，从几纳秒高速缓存应用200ns低功率应用。SRAM中存在双极和MOS技术。CMOS技术具有最高的密度和最低的功耗。高速缓存存储器可以构建在BiCMOS技术，一种混合技术，使用双极晶体管额外的驱动器。最快的SRAM存储器可在ECL（发射极耦合逻辑）双极技术。由于功耗高，在该技术中的内存大小是有限的。 SRAM存储器的一个特殊情况是内容寻址存储器（CAM）。在这项技术中，内存由触发器阵列，其中每个行连接到数据比较器。内存是通过向它提交数据（而不是地址！）所有比较器将同时检查是否相应的RAM寄存器持有相同的数据。 CAM将响应与原始数据对应的行（寄存器）的地址。这种技术的主要应用是快速查找表。这些通常用于网络路由器。 动态随机存取存储器（DRAM）这个词“动态”表示数据不是在触发器中，而是在存储单元中。由于泄漏，必须定期刷新存储单元中的数据（读出和重写）。刷新时间间隔通常为4至64毫秒。存储单元只需要一个电容器和一个晶体管，而一个触发器连接在一个数组中需要6个晶体管。在沟槽电容器的存储技术，它是用在所有的现代的DRAM，晶体管是上文构建的电容，芯片尺寸最小化。出于这个原因，DRAM技术有一个较低的成本比SRAM技术每比特。使用大内存大小时，额外刷新电路所需的缺点很容易被每比特的较低价格所抵消。 DRAM存储器就像SRAM存储器一样构成存储单元阵列。SRAM和DRAM之间的主要区别，但是，在于寻址技术。有了一个SRAM，需要提交一个地址，芯片将响应在输出端呈现存储单元的数据，或接受输入的