电力电子学-第三章剖析.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET * 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET 是否 可控 驱动 信号 额定电压 额定电流 工作 频率 饱和 压降 BJT 全控 正电流 较大 中 小 P-MOSFET 全控 正电压 较小 高 大 * 第二章 半导体电力开关器件 2.1 电力二极管 2.2 双极结型电力晶体管BJT 2.3 晶闸管及其派生器件 2.4 门极可关断晶闸管GTO 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET 2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT 2.7 MOS控制晶闸管MCT和集成门极换流晶闸管IGCT 2.8 半导体电力开关模块和功率集成电路 PIC 2.9 本章小结 * 2.6.1 工作原理 2.6.2 静态特性 2.6.3 擎住效应 2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT * 2.6.1 工作原理 P-MOSFET IGBT * IGBT比MOSFET多一层P+注入区，形成了一个大面积的P+N结，因此通流能力很强。 等效电路 符号 IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 晶体管基区内的调制电阻 2.6.1 工作原理 * 与MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定。 驱动 uGE大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通。 导通 通态压降小。但通态压降具有正温度系数 栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断。 关断 2.6.1 工作原理 * 静态特性 2.6.2 静态特性 三个区域： 正向阻断区、有源区和饱和区。 uCE0时，反向阻断工作状态。 * 开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有BJT的1/10，与P-MOSFET相当； 相同电压和电流定额时，安全工作区比BJT大，且具有耐脉冲电流冲击能力； 通态压降比P-MOSFET低，特别是在电流较大的区域； 输入阻抗高，输入特性与P-MOSFET类似； 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。 2.6.2 静态特性 * 2.6.2 静态特性 寄生晶闸管等效电路 导通时，Ic过大，使寄生晶体管导通，成为晶闸管状态； 关断时，集射极电压上升过快，电容充电电流大，也可能晶闸管状态出现。 * 2.6.3 擎住效应 什么是擎住效应： 集电极电流iC过大； 集电极电压过高； 关断速度过快； Rbr上的电压过大，可使T2导通，使IGBT失去关断能力。 产生擎住效应的原因： * 2.6.3 擎住效应 电压控制开通和关断，控制功率小； 双极性导电，开关速度介于MOSFET和BJT之间； 电压电流耐量介于BJT和GTO之间； 无二次击穿现象，有擎住效应； 最近20年，IGBT已得到广泛应用，3.3KV~4.5KV/1200A~1800A的器件已开始使用。 * 第二章 半导体电力开关器件 2.1 电力二极管 2.2 双极结型电力晶体管BJT 2.3 晶闸管及其派生器件 2.4 门极可关断晶闸管GTO 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET 2.6 绝缘门极双极型晶体管IGBT 2.7 MOS控制晶闸管MCT和集成门极换流晶闸管IGCT 2.8 半导体电力开关模块和功率集成电路 PIC 2.9 本章小结 * 晶闸管引入一对MOSFET构成了场控晶闸管MCT(图2.19) 开通P沟道的MOS管使MCT导通 开通N沟道的MOS管使MCT关断 2.7 MOS控制晶闸管MCT和集成门极换流晶闸管IGCT * 2.7 MOS控制晶闸管MCT和集成门极换流晶闸IGCT IGCT就是把GTO芯片与反并联二极管和门级驱动电路集成在一起，再将其门级驱动器在外围以低电感方式连接成环状的门电极。 优点：电流大、电压高，开关频率比较高 （比GTO大10倍），驱动功率小。 IGCT广泛应用于大功率电气传动、电力系统有源滤波、补偿及直流输电等电力变换系统中。 * 第二章 半导体电力开关器件 2.1 电力二极管 2.2 双极结型电力晶体管BJT 2.3 晶闸管及其派生器件 2.4 门极可关断晶闸管GTO 2.5 电力场效应晶体管P－MOSFET 2.6 绝缘门极双极型晶体管I