【2017年整理】项目一常用半导体元器件任务一半导体基本知识2016-3-7.pptVIP

; 常用半导体元器件;任务一 半导体的基本知识 知识1 导体、半导体、绝缘体 物质按导电性能的不同，分为三在类，即导体、半导体、绝缘体。 导体—导电性能良好的物质，如金、银、铜、铝、铁等。 半导体—导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。常用的半导体的材料有硅、锗等。 绝缘体—一般情况下不能导电的物质，如陶瓷玻璃、橡胶、塑料等。 ; 由于半导体的导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。 导电性能很差，但受到光照射，或在纯净的半导体中掺入微量杂质，其导电性能大大增强。 知识2 本征半导体 在纯净的半导体（硅、锗材料）掺入微量元素后就成为杂质半导体。杂质半导体掺入5价元素磷为Ｎ型半导体、和杂质半导体掺入3价元素硼为Ｐ型半导体。 ; 任务二ＰＮ结及单向导电性 ＰＮ结的形成：是将Ｎ型半导体和Ｐ型半导体，采用特殊的制造工艺，使二块半导体的两边结合在一起，它们的交界面就形成ＰＮ结，ＰＮ结具有单向导电性。 ;ＰＮ结具有单向导电性：;;; 三、二极管伏安特性（电压与电流之间关系）; 2）二极管的正向电压大于死区电压后，二极管呈现很小的电阻，有较大的正向电流流过，称为二极管导通，如 AB 段特性曲线所示，此段称为导通段。从图中可以看出：硅管电流上升曲线比锗管更陡。二极管导通后的电压为导通电压，硅管一般为0.7V，锗管约为0.3V。 ;;2）当反向电压增加到一定数值时（曲线的C点，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿，此时对应的电压称为反向击穿电压，用 UBR 表示，曲线中 CD 段称为反向击穿区。 通常加在二极管上的反向电压不允许超过击穿电压，否则会造成二极管的损坏（稳压管除外）。;四、二极管的主要参数;二极管的主要参数;二极管的主要参数;常用整流二极管（1N系列）参数;常用二极管的符号;;～; 稳压管的应用：使用时，稳压管的阴（负）极接外加电压的正极，阳（正）极接外加电压负极，管子反向偏置，工作在反向击穿状态，利用它的反向击穿特性稳定直流电压。 二极管在反向击穿状态下，流过管子的电流变化很大，而两端电压变化很小，稳压管正是利用这一点实现稳压作用的。稳压管工作时，必须接入限流电阻，才能使其流过的反向电流在稳压范围内变化。;; 发光二极管的发光颜色可分为红、橙、黄、绿、蓝、白等，其导通电压：;;发光二极管的应用;3．光敏二极管（光接收器件）;;光敏二极管的应用;4．变容二极管;变容二极管的图形符号和特性;第二节 半导体三极管 半导体三极管又称晶体三极管或双极型晶体管， 简称晶体管。 晶体管具有“放大”和“开关”功能。 ;; 晶体管的图形符号如图6-7b所示，符号中的箭头方向表示发射极及发射结正向偏置时的电流方向。; 2．晶体管三极管外形; 三极管分类 (1)按材料分类 　三极管按材料可分为：硅三极管、锗三极管。 (2)按导电类型分类 　三极管按导电类型可分为：PNP 型和 NPN 型。 锗三极管多为 PNP 型，硅三极管多为 NPN 型。 (3)按用途分类 　按工作频率分为：高频管 f 3 MHz、 低频管 f 3 MHz和开关三极管。 按功率又分为：大功率 Pc 1 W、 中功率 Pc 在0.5～1 W、 小功率 Pc 0．5 W 三极管。; 二、晶体管三极管的电流分配和放大作用 1．晶体管的工作电压 三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正向偏置、集电结反向偏置。晶体管有PNP 型和 NPN 型，为保证其外部条件，两类晶体管工作时外加电源的极性是不同的。;三极管放大电路各元器件的作用 图中电源 UCC 通过偏置电阻 Rb 为发射结提供正向偏置电压，进而产生基极电流， RC 为集电极负载电阻，电源通过它为集电极提供电流，三极管 V 起电流的放大作用。;;4.05;3．晶体管的电流放大作用; 三、晶体管的特性曲线 1．输入特性曲线射（反映三极管的导通） 当集射电压UCE为某一 常数时，输入回路的基射 电压UBE与基极电流IB之间 的关系曲线。 （1） UCE=0时，C、E间 短接。 （2） UCE增大时，输入特 性曲线右移。 三极管的导通时，锗管0.2-0.3V 硅管0.5-0.7V ; 2. 输出特性曲线 输出特性曲线是在基极电流 IB 一定的情况下，三极管输出回路中集射电压 UCE与集电极电流 IC 之间关系。