镜面单锥结构超宽谱短脉冲电场标准装置.pdfVIP

第24卷第12期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．24，No．12 2012年12月 HIGHPOWERLASERANDPARTICLE BEAMs Dec．，2012 文章编号： 1001—4322(201z)12—2873—04 镜面单锥结构超宽谱短脉冲电场标准装置’ 燕有杰， 蒋廷勇， 刘小龙， 李鹏辉， 陈 锦 (西北核技术研究所，西安710024) 摘 要： 针对目前超宽谱短脉冲电场测量传感器标定问题，研制了以镜面单锥结构为核心的超宽谱短脉 冲电场标准装置，用于超宽谱短脉冲测量传感器校准。该标准装置内部的电场分布可基于结构参数、麦克斯韦 方程及激励脉冲解析给出。通过理论分析和数值分析验证了该技术路线的可行性。完成了标准装置的机械工 艺设计及加工，并进行了测试。测试结果表明：研制的标准装置在馈电处电压反射系数小于4％；内部电场波 形与激励波形一致，且电场幅度分布与严格理论结果偏差小于6％。 关键词：标准场； 超宽带}镜面单锥结构；传感器标定；天线标定 中图分类号： TN788 文献标志码： A doi：10．3788／HPLP2873 的双极性或多极性非调制电磁波[1书]。目前，国内外对于超宽谱短脉冲电场测量一般采用TEM喇叭传感器， 主要基于互易原理在频域对传感器进行标定，但该方法无法准确标定传感器相频特性对待测脉冲时域波形的 影响，因此需要研究测量传感器的时域标定方法，建立超宽谱短脉冲电场标准。超宽谱测量传感器时域标定难 点主要在于获得该类脉冲电场的已知场(标准场)。对于已知场的获得国外一般采用两种方法：一种为标准传 感器法口伽，即通过标准(参考)传感器对产生的辐射场分布进行测量，以该测量结果为依据对待测传感器进行 标定；另一种方法为标准场法口0’12]，根据激励参数和装置结构及尺寸严格给出场分布。本文建立了单锥结构为 核心的超宽谱短脉冲电场标准，实现了超宽谱天线(传感器)的时域标定。 l 超宽谱短脉冲电场标准装置理论分析 1．1 单锥结构内部电场解析分析 超宽谱短脉冲电场标准装置主要由双极性短脉冲源和镜面单锥结构组成。镜面单锥结构阻抗呈纯电阻特 性，在一定时间窗口内其电场为行波，电场脉冲幅值与波形可基于单锥几何参数和激励脉冲由麦克斯韦方程严 格求解。 根据麦克斯韦方程推导出单锥结构室内部电场，其电场仅存在岛分量 971，／十、 (o≤‘≤L／c) (1) E8(r臼，￡)一瓦干历焉赫首而而 单锥结构的特征阻抗；L为单锥母线长。式(1)表明，在一定的时间窗口内单锥结构内部观察点与激励脉冲是 简单的线性关系，在时域波形上具有严格的一致性；内部电场的幅度与到轴线距离成反比。单锥结构的母线长 1TI m×0．1 决定了使用空间和时问窗口，而两者之间又是相互制约的。母线长为1．5In时，对于尺寸小于0．1 ×0．1 ns的时间窗。 m的探测器可以获取不小于4．5 1．2单锥结构内部电场数值分析 采用数值分析方法研究激励脉冲与单锥结构内部脉冲电场波形的一致性。图1表明，在关心的时间窗口 内，单锥结构内部不同位置电场波形与激励脉冲具有较好的一致性。对单锥结构内部不同位置电场峰值与理 论分析结果进行了比较。从表1可以看出数值分析结果与理论分析结果基本吻合，数值分析结果较理论分析 结果略微偏小，其原因在于数值分析模型中同轴线阻抗与单锥结构阻抗存在离散误差导致的不匹配。 收稿日期：2012-02—09；修订日期：2012-06-13