二扩散作业.pptVIP

第二章 习题解答;2.1 某数字IC的埋层采用锑箱法扩散，温度为1200℃，扩散时间为2h，(1)P型硅衬底的电阻率为8?· cm，求n+埋层的厚度；(2)忽略衬底掺杂的补偿作用，求n+埋层的平均杂质浓度和方块电阻。;2 5;杂质硅中的固溶度;A1;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;当扩散时间为2h时， n+埋层的厚度为：;所求出 n+埋层的方块电阻为：;查依尔芬曲线：硅中n型余误差函数分布扩散层的平均电导率?与表面浓度Cs的关系曲线 ，;2.3 某硅集成电路采用的N型外延层的电阻率为0.4?· cm，其晶体管基区硼预淀积温度为950℃，时间为10min；再分布的温度为1180℃，时间为50min， (1)求预淀积掺入的杂质总量、结深和方块电阻； (2)求再分布后的表面浓度，结深和方块电阻。;所求的预沉积时掺入的杂质总量为：;A1; 所求的预沉积时的方块电阻为：;(2)再分布：;所求的再分布时的结深为：;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2.4 硅IC采用的N型外延层的电阻率为0.4?· cm ，要求基区硼扩散的结深为2?m，方块电阻为200Ω/□；现采用两步扩散方式，试分别确定预淀积和再分布的温度和时间。;扩散层的电导率为：;由上式可知： 当T2、t2及T1确定后，则预沉积表面浓度CS1和扩散系数D1均可确定，从而扩散时间t1也可确定。;设T2=1180 ℃时，查图D~T可知： B的D2=1.5×10-12cm2/s;;设T2=1120 ℃时，查图D~T可知： B的D2=3×10-13cm2/s;;设T1=900℃时， 查图D~T可知：B的扩散系数D1=8×10-16cm2/s; 查图CSOl~T可知：B的固溶度CSOl=3.8×1020cm-3;;设T1=950℃， 查图D~T可知：B的扩散系数D1=4×10-15cm2/s; 查图CSOl~T可知：B的固溶度CSOl=4×1020cm-3;;取T1=920℃，查图D~T可知： B的D1=2×10-15cm2/s; 查图CSOl~T可知： B的固溶度CSOl=3.9×1020cm-3;;2.2 某硅晶体管基区硼预淀积温度为950℃，要求预淀积后的方块电阻为120Ω/□左右，试确定预淀积所需要的时间。;2.3 某数字IC的埋层采用锑箱法扩散，温度为1200℃，扩散时间为2h，(1)P型硅衬底的电阻率为8?· cm，求n+埋层的厚度；(2)忽略衬底掺杂的补偿作用，求n+埋层的平均杂质浓度和方块电阻。