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Ｐ０９００４ Ｐ１００２２ 平成２７年度実施方針 電子・材料・ナノテクノロジー部 １．件名 （大項目） 低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト ２．根拠法 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構法第１５条第１項第１号ニ及び第３号 ３．背景及び目的・目標 エネルギー生成方法の多様化は、資源枯渇および地球温暖化の解決に向けた重要な検討課 題であるが、中でも、電気エネルギーへの移行は、課題解決の有力な手段のひとつである。 電力の生成から消費に至るフローにおいて、電力利用効率向上の手段として、パワー半導体 デバイスによる電力変換・制御（直流・交流変換、周波数制御等）は、すでに多くのフェー ズで行われている。さらに、これまでパワー半導体が適用されていなかった機器への展開や、 新たな応用分野が急激に広がることによって、パワー半導体デバイスが利用される局面は大 幅に増加すると見込まれる。たとえば、ハイブリッド自動車の普及など電化の進む社会への 転換がその起動力の一つである。また、高度に情報化が進む今日の社会では、ブロードバン ドの普及、ＩＴ機器の高度化・設置台数の急激な増加に伴い、機器が消費する電力の急激な 増大が見込まれており、情報関連機器の省エネルギー化が重要な課題となっている。このた めにも、パワー半導体デバイスが電力利用効率向上に大きく役立つと考えられる。このよう に、パワー半導体デバイスによる電力損失の低減は低炭素社会の実現に向けて極めて重要で ある。 現在は、パワー半導体デバイスの材料として主にＳｉ（シリコン）が使用されているが、 電力損失がＳｉの１／１００以下、数ｋＶの高耐圧性など、パワー半導体として極めて優れ た性能を有した新材料ＳｉＣ（炭化珪素）の実用化が期待されている。また、ＧａＮ（窒化 ガリウム）、Ｇａ Ｏ （酸化ガリウム）等、ＳｉＣ以外の新材料についても実用化に向けて研 ２ ３ 究開発を進めている。新材料パワー半導体デバイスを用いることにより、従来のＳｉデバイ スを用いた電力変換モジュールと比べ、電力損失が格段に低い、また小型で大電力を扱える 電力変換機器を実現することが期待される。インバータ等の電力変換装置の適用範囲が鉄道 や次世代自動車などの環境産業をはじめとして極めて広いことから、社会全体への波及効果 が極めて大きく、さまざまな産業において、その成長の鍵となるものである。したがって、 パワー半導体デバイスおよび電力変換機器における技術力は我が国産業の国際競争力を左右 するものである。 1 我が国における関連技術開発としては、主として産業用モータ駆動用を想定して、ＳｉＣ ウエハ品質と関連づけたＳｉＣデバイスの大容量化／高信頼化の技術開発、或いはインバー タコア技術開発がＮＥＤＯプロジェクト（「パワーエレクトロニクスインバータ基盤技術開 発」平成１８年～平成２０年など）において行われてきている。同プロジェクトにて開発さ れたＳｉＣウエハ品質向上および評価技術・デバイスプロセス技術・回路技術・熱設計技術 等、全体的な技術の高度化の結果として、Ｓｉデバイスに比べ大幅な損失低減（同定格イン バータユニットにおいて、現在主流のＳｉ－ＩＧＢＴを適用した場合に比べ、７０％損失を 低減）が実証されるに至っている。 ＩＴ産業の電力消費低減に寄与するため、データセンタやその電力源に用いる交流・直流 変換等の高効率化を実現したり、電気自動車のように新たに拡大しつつある応用製品に適し た電力変換機器を実現したりするためには、具体的な適用製品を想定して、高電流密度化（大 容量化）や、デバイス・機器の信頼性向上といったＳｉＣデバイス性能の高度化を進めるこ とが重要である。同時に、ＳｉＣデバイスとの組み合わせにおいて力を発