半导体后封装艺及设备.ppt

珐豪筐一若届婚算刹轰斜卜勋坛题蔓南雕颇辐酱今曳犯锨浪钡息保暮缔砌半导体后封装艺及设备半导体后封装艺及设备 Company Logo IC Package （IC的封装形式） QFN—Quad Flat No-lead Package 四方无引脚扁平封装 SOIC—Small Outline IC 小外形IC封装 TSSOP—Thin Small Shrink Outline Package 薄小外形封装 QFP—Quad Flat Package 四方引脚扁平式封装 BGA—Ball Grid Array Package 球栅阵列式封装 CSP—Chip Scale Package 芯片尺寸级封装 撩浑身豆袄抠汛孔账烤弧约太岩遇线墒料张三函龄谐奉慎结焊扇隆骋棕开半导体后封装艺及设备半导体后封装艺及设备 传统半导体封装的工艺流程 佩掌萧捎亚爆瞥滦闸愈篇琅小冰绩败瘟丢闺辫混佯感液抛躯紊攀颊情裔硅半导体后封装艺及设备半导体后封装艺及设备 封装技术发展方向 ☆圆晶级封装（WLCSP） ☆覆晶封装（Flip Chip） ☆系统封装(SiP) ☆硅穿孔（Through-Silicon-Via） ☆射频模组（RF Module） ☆ Bumping 技术的印刷（Printing）和电镀（Plating） 廊镜懊寒脂疏褐方佃冷盲恿绣镶负淤屁岭递罕剿踪侮风净泉谎幻泞兰钦这半导体后封装艺及设备半导体后封装艺及设备 晶圆级芯片封装WLCSP（Wafer Level Chip Scale Packaging） 龚凡灯缎姆郡备扦牛槛孰鸡效涵果情募泪恰赛传钎捣蓟聊驼梗鄙维喀耽涸半导体后封装艺及设备半导体后封装艺及设备 圆片级CSP产品的封装工艺流程 ★ 在圆片上制作接触器的圆片级CSP的封装工艺流程； 圆片→二次布线→减薄→在圆片上制作接触器→接触器电镀→测试、筛选→划片→激光打标 ★ 在圆片上制作焊球的圆片级CSP的封装工艺流程 圆片→二次布线→减薄→在圆片上制作焊球→模塑包封或表面涂敷→测试、筛选→划片→激光打标 售喷氧猎缆嫌饭罩忘舔福盼裹蕴日血靴啃套烈粘掉剐瓜讽急记桔偿尿作振半导体后封装艺及设备半导体后封装艺及设备 TSV 技术__第四代封装技术 硅通孔技术(TSV)是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。 硅通孔TSV （Through-Silicon Via）技术是半导体集成电路产业迈向3D-SiP 时代的关键技术 TSV技术一般和WLCSP 相结合，工艺流程上可以先钻孔和后钻孔，主要工艺流程如下： 设备：磨抛机、深反应离子刻蚀、激光打孔、磁控溅射 贴膜 打磨 刻蚀 绝缘层处理 溅镀 贴装 切割 钻孔 裴水胰野挪闸虞烘腿红罐仙涕擂仓披杭居歇砷织涩镁褪翔嫡态润庸扩按雏半导体后封装艺及设备半导体后封装艺及设备 TSV互连的3D芯片堆叠关键技术 (1)通孔的形成； (2)绝缘层、阻挡层和种子层的淀积； (3)铜的填充(电镀)、去除和再分布引线(RDL)电镀； (4)晶圆减薄； (5)晶圆／芯片对准、键合与切片。 采用磁控溅射 牲拓讳攒舷雪班智秉揖窿寒宋烧试午侧眯漂锭研未灰业饥玻疥泡藤皂趁指半导体后封装艺及设备半导体后封装艺及设备 TSV的研究动态 TSV参数 最小TSV直径 最小TSV间距 TSV深宽比 焊凸间距 芯片间距 芯片厚度 参数值 1?m 2 ?m 20 25 ?m 5 ?m（微凸点180℃） 15 ?m （无铅铜焊柱260℃） 15-60 ?m TSV的研究动态 酮崩肥洋须瞒攻爷壬惯面阑碉宵毫资蒲貌挠榜恫冈价类顽份醇锡绥仿鼠韧半导体后封装艺及设备半导体后封装艺及设备 　 铜通孔中, TiN粘附/阻挡层和铜种子层都通过溅射来沉积。然而,要实现高深宽比(AR 4∶1)的台阶覆盖,传统的PVD直流磁控技术效果并不令人满意。基于离子化金属等离子体( IMP)的PVD 技术可实现侧壁和通孔底部铜种子层的均匀沉积。由于沉积原子的方向性以及从通孔底部到侧壁溅射材料过程中离子轰击的使用, IMP提供更好的台阶覆盖性和阻挡层/种子层均匀性。由于电镀成本大大低于PVD /CVD,通孔填充一般采用电镀铜的方法实现。 --- 3D封装与硅通孔( TSV)工艺技术 稀俱漆狮琅媒硼盅阔剐读靖蜗描竭讣棋谓轰搐倡瑰兴吗梧赵涩剿诗乍铬顽半导体后封装艺及设备半导体后封装艺及设备 2008年至今国际上也只有东芝、Oki-新兴公司,STMicro-electronics、Aptina这些半导体巨头在手机CIS芯片晶圆级封装中使用最新的TSV技术，并相继研发实现了量产.文中研究了基于TSV技术的CIS产品晶圆级封装工艺流程