利用侧壁蚀刻方法增加氮化镓系列蓝光发光二极体光输出功率之研究 ....DOC

利用側壁蝕刻方法增加氮化鎵系列藍光發光二極體光輸出功率之研究之成果摘要 班級:光電四乙 指導老師: 李明倫 老師 學生學號/姓名: 497L0025 林璟良、497L0049 陳俊源 1. 前言 傳統氮化鎵發光二極體使用金屬有機氣相沉積(MOCVD)將磊晶層沉積在藍寶石基板(Sapphire)上。由於氮 化鎵跟藍寶石基板之間的晶格常數高達15%的晶格不匹配，再加上兩者的熱膨脹係數也有80%差距，因此氮化 鎵磊晶層與藍寶石基板因為應力造成晶格不匹配而產生的貫穿插排(Threading dislocations，TDs)過高，又有強 大的內部極化電場，造成內部發光效率遲遲無法提升，故仍有待各方研究以求突破。內部發光效率是指電子變 換成光子的比例。但往往因為結晶缺陷的因素，嚴重影響發光二極體的內部發光效率。要如何提升氮化鎵發光 二極體總光輸出功率，是該好好的極力去探討的問題。 1983年日本Yoshida博士等人，在藍寶石基板上先用高溫成長一層氮化鋁(AlN)做緩衝層(Buffer layer)，又稱 晶核形成層(Nucleation layer)，在其上成長氮化鎵，可得結晶較好的氮化鎵。而在之後為了得到更好結晶品質的 氮化鎵，更發展出側向磊晶成長(Epitaxial lateral overgrowth，ELOG)方法 [1]。且想要提升發光二極體的外部量 子效率( External Quantum Efficiency, EQE)，主要可以往下列兩個方向發展：1.內部量子效率( Internal Quantum Efficiency, IQE )；2.光萃取效率( Light Extraction Efficiency, LEE )。內部量子效率主要取決於晶體品質的好壞與 元件內部磊晶結構的設計；現今多以利用介電質材料作為成長遮擋材料，並藉由二次成長方式( regrowth ) 降低 差排密度進而提升材料品質 [2-5 ]；光萃取效率的部分，在結構中除了主動層以外其他層的吸收之外，另外有 一個很重要的問題就是由於半導體材料本身的高折射率係數，會導致 LED 產生受限的光，例如氮化鎵折射率 ( n = 2.5 ) 與空氣 ( n = 1 ) 之間的折射率過大，其內全反射角僅只有 23° [ 6 ]造成之內部全反射 ( internal total- reflection ) ，使得由主動層所發出的光會被侷限在半導體內。所以想改變發光二極體之外型提升光的萃取率， 因此藉由化學溶液濕式蝕刻方法蝕刻出傾斜側壁來減少光子全反射且改善發光效率。 2. 實驗步驟 本實驗清洗試片是以丙酮、甲醇、DI-water做清洗，之後再用氮氣吹乾，而高台蝕刻製程是以光阻當作阻擋層，再用電感耦合電漿內進行蝕刻做出來，在雷射切割之前會先鍍上二氧化矽當作阻擋層，是為了濕式蝕刻製程時能阻擋無需蝕刻的部分，雷射切割完無經過蝕刻試片標記為LED-I。 之後蝕刻製程是以磷酸與硫酸(2:3)混和調配，其中磷酸為140ml而硫酸為210ml，皆以量筒量之再倒入燒杯混合，將混合好的酸液使用加熱平台加熱至220℃，並使用磁石均勻攪拌，圖1-1為濕式蝕刻配置示意圖，加熱1小時之後，為了確保溶液混合且溫度均勻，再用溫度計測量是否已到達實驗所需的蝕刻溫度，確定蝕刻溫度已到達，將試片放置鐵氟龍花籃內，再把花籃放置混合蝕刻酸液中，蝕刻50min。在使用SEM觀察蝕刻出的斜向側壁，有蝕刻試片標記為LED-II。 在製作氧化銦錫(ITO)透明導電膜(TCL)製程，首先會使用濺鍍機鍍上一層氧化銦錫(ITO)，之後會使用黃光以光阻當作阻擋層，在進行ITO蝕刻，蝕刻後經過退火製作出透膜導電膜(TCL)，接下來就製作電極，會先經過黃光定義出圖形，再以電子束蒸鍍(e-beam)鍍上電極，蒸鍍完後，利用剝離(lift off)方法將試片放置丙酮液中，以去除p-n電極外的金屬，接著浸泡於甲醇以去除試片殘留的丙酮。 剝離(lift off)之後，以電激發光系統當量測，當試片發光後經由積分球可量測到光電流，再藉由換算可量出試片在不同電流下之光輸出功率。 3. 結果與討論 本章主要討論發光二極體光電特性量測並分析其結果。本節是利用化學濕式蝕刻形成底切的側壁應用於發 光二極體上，分析討論其光電特性。將分析利用化學濕式蝕刻法蝕刻出斜向側壁應用於發光二極體。實驗中以 使用磷酸和硫酸的混合酸液加熱至 220 ℃ 作為蝕刻液，再以Crystallographic wet etching法蝕刻n-GaN50分鐘使 之形成具有斜切的側邊，如圖1-2所示。 1.化學濕式蝕刻側壁技術應用於發光二極體之光電特性分析 首先討論光特性部分，圖1-3為LED-I與LED-II的電流-光輸出功率特性圖