第4章光辐射的探测技术-1.ppt

2. 基本特性 第4章 光辐射的探测技术 4.7.1 Si光电二极管 光照特性 光照特性是指光电二极管的光电流与照度之间的关系。 光电二极管的光照特性的线性较好，但光电流较小(微安量级)，灵敏度较低。 2. 基本特性 第4章 光辐射的探测技术 4.7.1 Si光电二极管 温度特性 硅光电二极管的光电流和暗电流均随温度的变化而变化。 由于温度升高，暗电流增大，使输出信噪比变差，不利于弱光信号的探测。所以，在弱光信号检测时，要设法克服温度变化的影响。 第4章 光辐射的探测技术 4.7.1 Si光电二极管 光谱响应特性和光电灵敏度 Si光电二极管具有一定的光谱响应范围。 常温下，Si材料的禁带宽度为1.12（eV），峰值波长约为0.9um，长波限约为1.1um，由于入射波长愈短，管芯表面的反射损失就愈大，从而使实际管芯吸收的能量愈少，这就产生了短波限问题。Si光电二极管的短波限约为0.4um。 Si光电二极管的电流灵敏度主要决定于量子效率。在峰值波长0.9um条件下，?＞50％。电流灵敏度R?＞0.4（?A/?W）。 光谱响应曲线 2. 基本特性 第4章 光辐射的探测技术 4.7.1 Si光电二极管 伏安特性曲线，曲膝电压 3. 光电变换的伏安特性分析 光敏电阻的应用实例 照明灯的光电控制电路 火焰探测报警器 照相机电子快门 第4章 光辐射的探测技术 4.4 光电探测器——光敏电阻 1. 照明灯的光电控制电路 2. 火焰探测报警器 3. 照相机电子快门 第4章 光辐射的探测技术 光电探测器——pn结光伏探测器 光伏效应 零偏状态下有光照射且波长满足 的情况。 如光照p区，激发出光生电子-空穴对，由于p区的多数载流子是空穴，光照前热平衡空穴浓度本来就比较大。因此光生空穴对p区空穴浓度影响很小，但光生电子对p区的电子浓度影响很大，从p区表面（吸收光能多、光生电子多）向区内自然形成电子扩散趋势。如果p区的厚度小于电子扩散长度，那么大部分光生电子都能扩散进pn结，一进人pn结，就被内电场扫向n区。这样，光生电子空穴对就被内电场分离开来，空穴留在p区，电子通过扩散流向n区。这时用电压表就能量出p区正、n区负的开路电压u0，称为光生伏特效应。如果用一个理想电流表接通Pn结则有电流ic通过，称为短路光电流。显然 ——光照零偏pn结产生开路电压的效应，称为光伏效应。 利用PN结的光伏效应而制作的光电探测器称为光伏探测器。 普通晶体管的PN结都是蔽光的，以免影响晶体管的性能；结型光电器件则相反，它利用受光照的PN结的光生伏特效应制成的器件。结型器件和光电导器件相比主要有以下区别： ①产生光电变换的部位不同。光敏电阻不管哪一部分受光，受光部分的电阻就减小；而结型器件，只有照射到PN结区或结区附近的光才能产生光电效应。光在其他部位产生的非平衡载流子，大部分在扩散中被复合掉，对光电流基本上没有贡献。 ②光敏电阻没有极性，工作时必须外加电压，而结型光电器件有确定的正负极性．在没有外加电压下也可以把光信号转换成电信号。 ③光敏电阻的光电导效应主要依赖于非平衡载流子的产生与复合运动，张弛过程的时间较长，频率响应较差；结型器件的光电效应主要是依赖于结区非平衡载流子中部分载流子的漂移运动，电场主要加在结区，张弛过程的时间相对较短，因此响应速度较快。 ④有些结型光电器件．如光电三极管、雪崩光电二极管等有较大的内增益作用．因此．灵敏度较高，也可以通过较大的电流。 第4章 光辐射的探测技术 4.5 光电探测器——pn结光伏探测器的工作模式 和光电导探测器不同，光伏探测器的工作特性要复杂一些，通常有光电池和光电二极管之分。也就是说，光伏探测器有着不同的工作模式。因此在具体讨论光伏探测器的工作特性之前，首先我们必须弄清楚它的工作模式问题。 1. 光电转换原理 短路光电流 光伏探测器的内电流增益Mn等于1，这和光电导探测器明显不同。 第4章 光辐射的探测技术 4.5 光电探测器——pn结光伏探测器的工作模式 2. 光伏探测器的工作模式 光伏探测器的等效电路 光伏工作模式 光导工作模式 普通二极管的伏安特性为： 光伏探测器的总伏安特性为： 第4章 光辐射的探测技术 4.5 光电探测器——pn结光伏探测器的工作模式 2. 光伏探测器的工作模式 普通二极管的伏安特性为： 光伏探测器的总伏安特性为： 光伏探测器的伏安特性 光伏探测器的伏安特性特性曲线 光伏探测器的等效电路 光伏工作模式 光导工作模式 第4章 光辐射的探测技术 4.5 光电探测器——pn结光伏探测器的工作模式 第4章 光辐射的探测技术 4.