制作氮化矽次波长结构应用于太阳电池之抗反射层摘要 - 国立交通大学 ....pdfVIP

製作氮化矽次波長結構應用於太陽電池之 抗反射層 研究生：邱于凡 指導教授：吳樸偉 博士 張 翼 博士 國立交通大學材料科學與工程學系 摘要 在太陽能電池的應用上，氮化矽薄膜為一常用的抗反射層及鈍化層材 料，但其只在特定頻寬內有較佳抗反射效果。因此我們發展一種簡單的製 程，在氮化矽上製作次波長結構，期望能達到寬頻抗反射的效果，以增加 太陽能電池對光的吸收。首先我們利用旋轉塗佈法，藉由改變轉速、時間 及溶液濃度，在氮化矽上製備一單層且整齊排列之二氧化矽及聚苯乙烯奈 米球，並以此為遮罩進行乾式及濕式蝕刻。在乾式蝕刻方面，我們利用 CF /O 電漿對氮化矽進行蝕刻，以二氧化矽奈米球為遮罩所得到的結構為 4 2 一拋物面圓柱，利用聚苯乙烯奈米球為蝕刻遮罩則可得到尖錐狀結構。其 中最佳的次波長抗反射結構為利用二氧化矽奈米球為遮罩進行蝕刻，其結 構高度為 165 nm 、底部SiN 厚度為 90 nm ，並使得波長300~1000 nm的入 X 射光之有效反射率下降到 5.45% ，達到寬頻抗反射的效果。另外，在濕式蝕 刻部分，由於蝕刻遮罩與基材之間的附著力仍然有待克服，因此蝕刻效果 不佳。 I Fabrication of Silicon Nitride Subwavelength Structures for Antireflection Coating of Solar Cells Student: Yu-Fan Chiu Advisor: Dr. Pu-Wei Wu Dr. Edward Yi Chang Department of Materials Science and Engineering National Chiao Tung University Abstract Silicon nitride (SiN ) is a well-known single-layered antireflective and x passive material for solar cells. Unfortunately, the single-layered antireflective coating (SLARC) generally works well within a limited spectral bandwidth. In this research, we develope a simple and low-cost method to fabricate subwavelength structure (SWS) on the SiNx to achieve a broadband antireflection with the objective of increasing the absorption of incident light for solar cells. First, a spin-coating process is carried out with adjustable spin rates, spin time, and concentrations of the dispersion cont