第七章 MOS场效应晶体管的性质.ppt

微电子器件原理 第七章 MOS场效应晶体管 第七章 MOS场效应晶体管 §7.1 基本工作原理和分类 §7.2 阈值电压 §7.3 I-V特性和直流特性曲线 §7.4 击穿特性 §7.5 频率特性 §7.6 功率特性和功率MOSFET结构 §7.7 开关特性 §7.8 温度特性 §7.9 短沟道和窄沟道效应 2.强反型条件 2.强反型条件 上述4种电荷的作用统归于Qox——等效电荷 电荷本身与半导体表面的距离不同，对表面状态的影响也不同。距离越近，影响越强。故等效为界面处的薄层电荷 由VT、Qox及N的共同作用使器件呈增强型或耗尽型 对n-MOS：Qox若较大，则易为耗尽型。欲得增强型，需控制Qox，并适当提高衬底浓度 对p-MOS：VT总是负值，易为增强型。欲得耗尽型，需采用特殊工艺或结构，如制作p预反型层，或利用Al2O3膜的负电荷效应，制作Al2O3 /SiO2复合栅等。 与双极器件相比： MOSFET为多子器件，因其沟道迁移率随温度上升而下降，在大电流下沟道电流具有负的温度系数。这种电流随温度上升而下降的负反馈效应使MOS器件不存在电流集中和二次击穿的限制问题。 在小信号下，MOS器件的输出电流id与输入电压ug呈线性关系，而双极型器件电流与电压呈指数关系变化。故其可在足够宽的电流范围内用作线性放大器。 MOS器件输入阻抗高，作功率开关时需要的驱动电流小，转换速度快；作功率放大时增益大且稳定性好。 MOSFET的不足之处在于饱和压降及导通电阻都较双极器件大。解决这方面的问题将是发展MOSFET的努力方向。 等比例缩小(Scaling-down)定律 1974年由Dennard 基本指导思想是：保持MOS器件内部电场不变：恒定电场规律，简称CE律 等比例缩小器件的纵向、横向尺寸，以增加跨导和减少负载电容，提高集成电路的性能 电源电压也要缩小相同的倍数 漏源电流方程： 由于VDS、(VGS-VTH)、W、L、tox均缩小了?倍，Cox增大了?倍，因此，IDS缩小?倍。门延迟时间tpd为： 其中VDS、IDS、CL均缩小了?倍，所以tpd也缩小了?倍。标志集成电路性能的功耗延迟积PW?tpd则缩小了?3倍。 恒定电场定律的问题 阈值电压不可能缩得太小 源漏耗尽区宽度不可能按比例缩小 电源电压标准的改变会带来很大的不便 恒定电压等比例缩小规律(简称CV律) 保持电源电压Vds和阈值电压Vth不变，对其它参数进行等比例缩小 按CV律缩小后对电路性能的提高远不如CE律，而且采用CV律会使沟道内的电场大大增强 CV律一般只适用于沟道长度大于1?m的器件，它不适用于沟道长度较短的器件。 准恒定电场等比例缩小规则，缩写为QCE律 CE律和CV律的折中，实际采用的最多 随着器件尺寸的进一步缩小，强电场、高功耗以及功耗密度等引起的各种问题限制了按CV律进一步缩小的规则，电源电压必须降低。同时又为了不使阈值电压太低而影响电路的性能，实际上电源电压降低的比例通常小于器件尺寸的缩小比例 器件尺寸将缩小?倍，而电源电压则只变为原来的?/?倍 §7.9 MOSFET短沟道和窄沟道效应 五、短沟道高性能器件结构举例 1、按比例缩小MOSFET—HMOS (High performance MOS)FET 结构尺寸：均缩小K倍，相对大小不变，使得短沟不短。K——比例因子 同时，衬底浓度增大K倍，使耗尽层宽度缩小K倍 加上适当的衬底反偏使强反型的表面势也缩小K倍 电特性的变化： 为保证源、漏间电场不变，栅源、漏源电压均缩小K倍 K-1 K K-1 K-1 随NB增加而变化，但大体相抵 缩小K倍 阈值电压 漏极电流 K-1 K-1 K-1 K-1 K-1 K-1 K-2 缩小K倍 器件参数缩小的比例 实际上，器件尺寸缩小受到一些限制：如寄生串联电阻，金属化电极的电迁徙，高的NB使衬底反偏对VT的影响以及浅结、细线条和薄氧化层等工艺问题。 即： n-MOS的阈值电压随温度升高而下降 p-MOS的阈值电压随温度升高而上升 且在-55~+125℃范围内，阈值电压随温度的变化基本上都是线性的 §7.8 MOSFET温度特性 三、MOSFET主要参数的温度关系 1、漏极电流的温度特性 漏极电流的温度系数 非饱和区 0 0 VDSVDsat=VGS-VT 当(VGS-VT)较大时，迁移率的温度系数支配漏极电流的温度特性，a0 当(VGS-VT)较小时，阈值电压的作用占主导地位，a0 可选取适当的(VGS-VT)，使漏极电流的