多晶锗硅肖特基接触特性的影响因素研究.pdfVIP

第 50卷第 5期 真 空 VACUUM VOI．50．No．5 2013年 9月 Sep．2013 金属 ／多晶锗硅肖特基接触特性的影响因素研究 王光伟，李林青 (天津职业技术师范大学 电子工程学院，天津 300222) 摘 要：用射频磁控溅射在单 晶硅上沉积 siGe薄膜。溅射的 SiGe薄膜样品，用俄歇 电子谱 (AEs)测定 其 ce含量 ，约为 17％，即siGe 。样 品分别做高温磷 、硼扩散 ，经 XRD测试为多晶态 ，制得 n， p-poly—Si083GeJ．【】7。在 n—poly—Si㈣Ge)[．】7上分别溅射 M 、V、w、cu、Pt、 、Al、c0膜 ，做成金属 n／～poly—Si3Gen_17 肖特基结。利用 I—v测试数据进行接触参数的提取 ，从而定量研究金属的功函数 、金属膜厚以及快热退火 温度对 肖特基接触特性的影响。结果发现，肖特基势垒高度 (SBH)与金属的功函数有微弱的正相关 ，A1／n， p-poly—SiGe 接触存在 Shannon效应 ，金属膜厚对 Co／n，p-poly—SiGe 接触特性有不同的影响，随快 热退火温度 的升高 ，Ni、V、w、co、cu、Pt、Ti、Al八种金属在 n—poly—Si。Ge 上的 肖特基势垒高度和理想 因子未见有一致的变化规律 ，但存在不均匀性 。 关键词 ：I—v测试 ；肖特基势垒高度 ；表观理想因子 ；肖特基接触的不均匀性 中图分类号 ：TN311+．8 文献标识码 ：A 文章编号 ：1002—0322(2013)05—0017—04 Research ofinfluencingfactorson Schottkycontactpropertiesofmetal／poly-SiGe WANG Guang-wei，LILin-qing (SchoolofElectronicEngineering，TianjinUniversityofTechnologyandEducation，Tianjin300222，China) Abstract：SiI…Ge filmsweredepositedbyRFmagnetronsputteringonmonocrystallineSisubstrates．TheGecontentofabout 17％ was determined by AES method in the as—deposited Si1…Ge film，thatis Si0 Geo17．Some Si083G。017filmswere doped ． 83 with phosphorus and the otherswere doped with boron through thermaldiffusion to fomr n，P -type polyerystalline films，the n，P—poly-Si083Ge017，whichareverifiedby XRD．And metal／n-poly—Si083Ge017／c-SiSchottkyjunctionsweremadeby sputtering Ni、V、W 、Cu、Pt、Ti、A1、Co on n-poly-Si083Ge017．Theeffectsofwork function ofmetal，metalfilm thicknessand rapid thermal annealing temperature on Schottky contactpropertieswere studied quantitatively．Ithasbeen f0und that．the S