忆阻器与神经元突触联系的分析.pdfVIP

T 7 SILICON ALLEY 一蠢 【高新技术产业发展l 忆 阻器与神经元突触联系的分析 刘莹莹 孙岩洲 邱 实 洪兆溪 (河南理工大学 河南 焦作 454000) 摘 要 ：忆阻器作为 “丢失的原件”被华裔科学家蔡少棠提 出，是连接磁通和电荷的电学器件。忆阻器的可操控性和记忆功能，类似神 经元细胞的性能。应用忆阻器代替现有晶体管的开关功能，是解决信号的通断智能控制的最理想办法，进而实现神经形态计算系统的智能控 制 。 关键词：忆阻器；记忆功能；神经元；神经形态工程 中图分类号：R322 文献标识码 ：A 文章编号：1671—7597(2012)0720034-01 0前言 蔡少棠先生虽然在理论上预测 了忆阻器元件 的存在 ，但之 飞速发展 的信息处理时代要求功能更密集和智能化 的微处 后几十年研究者一直未找到具有此特性的元器件 。2008年惠普 理器，神经形态工程是解决电路整体构架建立理想计算的有效 公司资讯与量子系统实验室的研究成果显示 [2]，二氧化钛薄 途径 。忆阻器 的记忆功能和可操控性，类似于生物体的神经元 膜基本可 以实现忆阻器的这一特性要求 ，从而证实了 “第 四种 突触 ，进行信号传递 的同时，判断处理并记忆信号 。应用忆阻 电子元件 ”忆阻器的存在 。两个电极中间夹放二氧化钛薄膜材 器 的这些功能可 以实现纳米级的智能运算 电路和记忆 电路 同时 料 ，这些材料 由两部分组成 ，一半是正常的二氧化钛 ，另一半 共存 ，而且随需要进行调整 。超 出了现有处理器的逻辑设计理 是掺杂部分，掺杂部分的部分二氧化钛分子缺少氧原子。电流 念 ，为神经形态工程是解决 电路整体构架建立理想计算提供 了 通过 电阻变化的氧空位 ，造成一种渐进和持续的电阻变化 。当 新的可实现方法 ，这或许代表着新一代 的智能处理器的诞生 。 掺杂部分带正电，电流通过时电阻比较小，而且当电流从掺杂 1忆阻器分析 部分的一边通向正常的一边时，在电场的影响之下缺少氧原子 的一侧会逐渐往正常的一侧游移，使得以整块材料来言，掺杂 忆阻器 [1]早在 1971年 由华裔科学家蔡少棠在研究电荷 、 部分的部份会 占比较高的比重 ，整体 的电阻也就会 降低 。反 电流、电压和磁通量之间的关系时提 出。我们现今大量使用的 之，当电流从正常的一侧流向掺杂部分一侧的一侧时，电场会 电阻，电容和 电感分别代表着 电压与 电流、电荷与 电压、磁通 把缺氧的二氧化钛分子从回推，电阻就会跟着增加。使忆阻器 与 电流之间的关系，而忆阻器这一概念代表着 电荷与磁通量之 电阻变化的根本原因是，二氧化钛材料中的氧空位迁移，实际 间的关系，正好填补 了连接磁通和 电荷这一器件 的空白，称之 上就是一个有记忆功能的非线性电阻器。 为被遗漏的 “第四种 电子元件”，如图l所示 。 掺杂 非掺杂t (缺步氯票子白g (--It化铸) 二囊化钛 一