模拟电子技术教材一.docVIP

第一章 常用半导体器件 学习目标 了解半导体材料的基本物理特性及PN结原理；掌握晶体二极管、晶体三极管、场效应晶体管的构成及其工作特性；学会晶体二极管、晶体三极管的识别与检测方法。 第一节 半导体的基本知识 ?一、半导体????自然界中的物质按导电能力的大小分为导体、半导体、绝缘体。导电能力特别强的物质叫导体，例如银、铜、金、铝等金属；导电能力非常差，几乎不导电的物质叫绝缘体，例如胶木、云母、陶瓷等；而导电能力介于导体和绝缘体之间的物质叫半导体，常用的半导体材料有锗、硅、硒、砷化镓以及一些硫化物和氧化物。????1．半导体的特性 半导体之所以得到广泛的应用，是由于它具有独特的导电性能????（1）热敏特性：温度可明显地改变半导体的电导率。利用这一特性，可制成自动控制中用的热敏元件，如热敏电阻等。但另一方面热敏特性使半导体的热稳定性下降，因此，在半导体构成的电路中常采用温度补偿及稳定参数等措施。????（2）光敏特性：光照不仅可改变半导体的电导率，还可以产生电动势，利用这一特性，可制成光敏电阻，光电三极管等，光电池已在空间技术中得到广泛的应用，为人类利用太阳能提供了广阔的前景。 ????（3）杂敏特性：通过掺入杂质可明显地改变半导体的电导率。例如，室温30时，在纯净硅中掺人亿分之一的硼，其电导率可增加几百倍，这是半导体最显著的特点。于是，人们用控制掺杂的方法，制造不同类型的半导体器件，如二极管、三极管、各种集成电路等。????2．本征半导体????（1）本征半导体的结构 不含杂质的纯净半导体称为本征半导体，它的导电性能决定于原子结构和原子间的结合方式。以硅晶体为例，原子核最外层有四个价电子，每个价电子和相邻四个硅原子中的一个价电子结合，而使相邻的原子都有一对共有的价电子联系着，这种结合方式称为共价键结构，如图1-1所示。共价键结构使原子的最外层电子数填满8个，满足原子的稳定条件，价电子被束缚在原子周围，不能自由移动。 ????（2）本征半导体中的两种载流子 半导体中共价键的束缚力较弱，常因受热或光照等能量激发，使少量价电子获得足够大的能量，摆脱原子核束缚而成为自由电子，同时在共价键中就留下一个空位，称为空穴，这种现象称为本征激发。由于中性原子失去一个电子而带正电，因此可以认为空穴是带正电的．如图1-2所示．空穴出现后，可能被邻近原子中的价电子所递补，而在邻近原子上出现一个新空穴，因此，价电子递补空穴的运动，相当于形成了空穴运动。????自由电子带负电，空穴带正电，统称载流子。载流子在电场作用下产生的运动称为漂移运动，自由电子逆着电场方向运动而形成电子电流；空穴顺着电场方向运动而形成空穴电流，如图1-3所示．这两个电流方向相同，所以通过半导体的电流是电子电流与空穴电流之和。????在本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现的，称电子一空穴对。自由电子也可能在填补空穴时使电子—空穴对消失，这个过程称为复合，载流子的产生和复合不断进行，在一定温度下达到相对平衡，而在半导体内保持一定数目。在室温下，电子—空穴对极少，载流子浓度很低，所以本征半导体的导电能力很差。但半导体受到比较强的光或热作用时，载流子数目显著增加，使得半导体的导电能力明显上升，因为锗比硅更容易受到温度影响，所以硅比锗的热稳定性好。 ????3．掺杂半导体 本征半导体中载流子数目很少，不好控制且受温度影响大，所以用途有限。若在本征半导体中掺入微量有用杂质可以克服以上缺点。掺杂后的半导体称为掺杂半导体，掺杂半导体分为N型和P型两种。 ????（1）N型半导体 如果本征硅中掺人微量的五价元素(例如磷)，则磷原子与邻近硅原子形成共价键时，还多余一个价电子，它很容易成为自由电子而使磷原子成为不能移动的正离子，如图1-4（a）所示．这种杂质半导体的自由电子数远大于空穴数，电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子，它的导电以电子为主，故又称为电子型半导体，即N型半导体。????（2）P型半导体 如果在本征硅中掺入微量的三价元素(例如硼)，则硼原子与邻近硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而形成空穴，如图1-4(b)所示。这种杂质半导体的空穴数远大于电子数，空穴为多数载流子，电子为少数载流子．它的导电以空穴为主，故又称空穴型半导体。在掺杂半导体中，虽然两种载流子的数目不等，但整个晶体仍呈电中性。 ????二、PN结 ????通过一定的掺杂工艺，把P型和N型半导体结合在一起时，则在交界面处会形成PN结。PN结是制造各种半导体器件的基础。????1．PN结的形成 由于P区内空穴浓度高，N区内自由电子浓度高，结果在两区交界面处，由于载流子浓度的差异，引起载流子的互相扩散，如图1-5(a)，其中P区的空穴向N区扩散，在交界面附近的P区