第五节 S3C2410.ppt

第5章 S3C2410X系统结构 5.1 S3C2410X概述 主要内容 主要特性 系统结构 引脚信号 系统结构 主要由两大部分构成： ARM920T内核 片内外设。 1、ARM920T内核 由三部分：ARM9内核ARM9TDMI、32KB的Cache、MMU。 2、片内外设 分为高速外设和低速外设，分别用AHB总线和APB总线。 引脚信号 S3C微控制器是272-FBGA封装。 其信号可以分成 addr0---addr26、 Data0---data31、 GPA0---GPA22 GPB10、GPC15、 GPD15、GPE15、 GPF7、GPG15、 GPH10、EINT23、 nGCS0—nGCS7、 AIN7、IIC、SPI、 OM0---OM3 等，大部分都是复用的 5.2 S3C2410X的存储器 主要内容 存储器配置 存储器概述 控制寄存器 Flash及控制器 Flash控制器概述 控制器主要特性 控制器的寄存器 控制器的工作原理 4.2 存储器配置 4.2.1 S3C2410X的存储器配置 一、概 述 S3C2410X的存储器管理器提供访问外部存储器的所有控制信号：26位地址信号、32位数据信号、8个片选信号、以及读/写控制信号等。 S3C2410X的存储空间分成8组，最大容量是1GB，bank0---bank5为固定128MB，bank6和bank7的容量可编程改变，可以是2、4、8、16、32、64、128MB，并且bank7的开始地址与bank6的结束地址相连接，但是二者的容量必须相等。 bank0可以作为引导ROM，其数据线宽只能是16位和32位，复位时由OM0、OM1引脚确定；其它存储器的数据线宽可以是8位、16位和32位。 S3C2410X的存储器格式，可以编程设置为大端格式，也可以设置为小端格式。 注意：补充引脚信号 Bank 6/7地址 存储器类型（异步） Asynchronous：ROM、EPROM、Flash memory 由nCE（Chip Enable）、nOE（Read）、nWE（Write）、Data bus和Address bus组成，寻址空间是由地址总线的宽度决定的。 存储器控制相关引脚 Bank0区存储器总线宽度 8位ROM的存储器接口 16位ROM的存储器接口 2片8位ROM的存储器接口 4片8位ROM的存储器接口 存储器类型（同步） Synchronous： DRAM 地址分为行地址RAs和列地址CAS,每隔一段时间需要刷新一次(Refresh)，否则内部数据会丢失 DRAM的控制 DRAM的读取步骤： （1）通过地址总线将行地址传输到地址脚； （2）nRAS使能，行地址被传送到行地址选通线路中；此时nWE脚确定不被使能，故DRAM不会进行写入操作； （3）通过地址总线将列地址传输到地址脚； （4）nCAS脚被使能，列地址被传送到列地址选通线路中，nCAS脚同时有nOE的功能，此时D0~Dn知道可以向外输出数据； DRAM的控制的问题 1. 延迟问题： 连续的DRAM读取操作之间的延迟，预充电延迟（Pre-charge time) nRAS转变成nCAS所需要的延迟 2.DRAM的刷新问题 DRAM只能在短时间内保持内容存储器的电荷，所以必须在内部电荷消失之前进行刷新； 由于每次读写都能刷新DRAM中的内容，所在可能采用DRAM控制器控制刷新； SDRAM引脚定义 16位SRAM引脚定义 2片16位SRAM引脚定义 16位SDRAM引脚定义 2片16位SDRAM引脚定义 ARM存储器接口 存储器的控制寄存器 内存控制器为访问外部存储空间提供存储器控制信号， S3C2410X存储器控制器共有13个寄存器。 Nand Flash及其控制器 主要内容 1、Nand Flash控制器概述 2、控制器主要特性 3、控制器的寄存器 4、控制器的工作原理 Nand Flash控制器功能框图 Nand Flash及其控制器 Nor flash存储器：读速度高，而擦、写速度低，容量小，价格高。 Nand flash存储器：读速度不如Nor flash，而擦、写速度高，容量大，价格低。有取代磁盘的趋势。 因此，现在不少用户从Nand flash启动和引导系统，而在SDRAM上执 行主程序代码。 一、Nand Flash控制器概述 S3C2410X微控制器从Nand flash的引导功能：其内部有一个叫做“起步石（Steppingstone）”的 SRAM缓冲器，系统 启动时，Nand flash存储器的前面4KByte字节将被自动载入到起步石中，然后系统自动执行这些载入的引