InGaAsInAlAs量子级联激光器的热特性研究.pdfVIP

摘 要 由于量子级联激光器 （QCL ）具有高功率、低阈值、工作波段范围广等特点，所 以其应用价值也受到了广泛重视，它不仅可作为激光成像雷达的光源，还可以应用在 化学传感、光电对抗、大气污染监测、医学无损伤治疗和太赫兹主动成像技术等众多 领域之中。 QCL 自身的级联设计使得器件发热量较大，制约了其大范围商品化的进程。本文 首先从InGaAs/InAlAs QCL 的基本结构、器件参数以及相应的理论知识出发，分析了器 件的热来源、热传递方式及其计算方法；其次，本文给出了制备InGaAs/InAlAs QCL 的 工艺流程，研究了其中的主要工艺，包括光刻、湿法刻蚀、欧姆接触以及封装工艺， 并系统地分析了各项工艺中的操作要领及注意事项；再次，本文利用ANSYS12.0有限 元分析软件模拟了使用不同材料封装的QCL 的温度场分布情况，得出结论：In焊料封 装的InGaAs/InAlAs QCL 的散热能力最强。 最终，本文采用模拟结果最佳的In焊料成功完成了InGaAs/InAlAs QCL 的制备及封 装，并对器件的输出功率和发射光谱进行了测试，结果表明该QCL 的出光功率为18mW 、 激射波长是10.5μm 。 关键字：量子级联激光器 光刻 湿法腐蚀 封装 焊料 ANSYS ABSTRACT Quantum cascade laser (QCL) has the characteristics of high power, low threshold and wide working band, so the application value has been paid more attention. QCL not only can be used as light source of laser imaging radar, also can be used in many fields of chemical sensing, photoelectric countermeasure, atmospheric pollution monitoring, medical treatment without injury and active THz imaging technology etc. The cascade design of QCL enables devices to release a lot of heat, so this restricts the development of commercial QCL. Firstly, this paper introduced the basic structure, device parameters and corresponding theoretical knowledge of InGaAs/InAlAs QCL, and analysed heat source of the device, the mode of heat transfer and the calculation method; Secondly, this paper introduced the process of preparing InGaAs/InAlAs QCL, and studied the main technologies, including photolithography, wet etching, ohmic contact and packaging technology. The paper systematically analyzed the difficulties and key points of operation; Thirdly, this paper used the finite element analysis software ANSYS12.0 to simulate the