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第36卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 VoI|36 No．6 2007年l2月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS December，2007 用化学溶液方法在Ni-5at％W基底上制备 La2 Zr2 07过渡层的研究 何 东，索红莉，赵 跃，刘 敏，张迎肖，叶 帅，马灵姬，周美玲 (北京工业大学材料科学与工程学院，新型功能材料教育部重点实验室，北京100022) 摘要：L Zr O，(LZO)过渡层以其独特的物理化学性质越来越受到人们的关注。本文以乙酰丙酮镧和乙酰丙酮锆 为前驱盐，丙酸为溶剂配置前驱液，用化学溶液方法(CSD)在具有立方织构的Ni-5at％W基底上制备了LZO过渡 层薄膜。研究了前驱液成分、性质以及退火温度对LZO成相以及取向的影响。用常规XRD和x射线四环衍射仪 分析了LZO薄膜的相成分和织构。结果显示，在1050~C下退火可以获得强立方织构的LZO薄膜，其中(222)峰的 Phi扫描半高宽值为8．95。；(4OO)峰的Chi扫描半高宽值为6．8。。用高分辨扫描电子显微镜(FE．SEM)观察到LZO 薄膜表面均匀致密，没有裂纹和空洞。 关键词：化学溶液方法；LZO薄膜；过渡层；立方织构；涂层导体 中图分类号：TM26 文献标识码：A 文章编号：1ooo-985x(2007)06．1297-o4 Fabrication of La2 Zr2 O7 Buffer Layer on Ni-5 at％W Substrates by Chemical Solution Depsition HE Dong，SUO Hong—li-,ZHAO Yue，LIU Min，ZHANG y 一xiao， YE Shuai，MA曲 -ji，ZHOU Mei—ling (Key Lal~mtory of Advanced Functional Materials，Ministry of Education，College of Materials Science and Engineering，Beijing University ofTechnology，Beijing 100022，China) (Received 11 May 2007) Abstract：Recent years，La2Zr2 07(LZO)used as a buffer layer in coated conductors is paid more and more attention due to its unique physical and chemical properties worldwide．This article presents the result of the LZO buffer layer deposited on the cubic textured Ni-5 at％W substrate by chemical solution deposition(CSD)．The precursor solution was prepared by using the acetylacetone lanthanum and the acetylacetone zirconium as precursor salts，and the propionic acid as a solvent．The characteristic of the precursor solution and the influence of the annealing temperature on forming the phase an