A3BGa3Si2O14（A=Ca，Sr；B=Nb，Ta）晶体研究进展.pdfVIP

第36卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 Vol_36 No．6 2007年 l2月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYsTALS December，2007 A3BGa3 Si2O14(A=Ca，Sr；B=Nb，Ta) 晶体研究进展 石绪忠，袁多荣，郭世义，段秀兰 (山东大学晶体材料国家重点实验室，济南250100) 摘要：介绍了一类性能优异、结构有序的新型材料一A，BGa，Si O (A=Ca，St；B=Nb，Ta)单晶，总结了其研究进 展，并对该类晶体的生长、结构、热学、光学和压电性能进行了描述。 关键词：Ca，G％Ge O。 晶体；压电性能；声表面波；声体波 中图分类号：0735 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2007)06—1440-06 Research Progress of A3BGa3Si2014(A=Ca，Sr；B=Nb，Ta)Crystals SHI Xu-zhong，YUAN Duo—rong，GUO Shi—yi，DUAN Xiu—lan (State Key Laboratory ofCrystal Materials，Shandong University，Jinan 250100，China) (Received7 March 2007) Abstract：This paper presents a class of novel materials with outstanding properties and ordered structure：A3BGa3Si20l4(A=Ca，Sr；B=Nb，Ta)sin~e crystals．The research progress Was discussed．And the crystals growth，structures as well as their thermal，optical and piezoelectric properties were described． Key words：Ca3 Ga2 Ge4 0l4 crystal；piezoelectric property；surface acoustic wave；bulk acoustic wave 1 引 言 压电材料是电子领域不可缺少的基本材料之一，广泛应用于制作谐振器、滤波器、换能器等电子器件。 压电材料主要包括压电晶体、压电陶瓷、压电薄膜三大类。目前用于压电工程的晶体主要是Ot一石英，该材料 具备频率对温度的高稳定性，成本低廉，但是石英晶体的机电耦合系数小，其器件插入损耗大，带宽窄。多年 来，人们一直在寻找有比石英性质更优良的压电单晶。自70年代末，人们报道了具有ca，Ga：Ge 0。 型结构 的单晶体，其中LGS(La，Ga SiO )在声表面波(SAW)和体声波(BAW)的潜在应用已引起人们的广泛关注。 它的优势在于：有比石英高的机电耦合系数，具有零温度系数切型，高本征声学Q值，并且是一致熔融的。 但是，该化合物的结构是无序的，这导致实际Q值减小，机电耦合性能下降，均一性变差，材料性能的重复性 变得困难。因此，人们开始了对具有有序结构的ca，Ga：Ge 0。 型晶体的寻找。自上世纪末开始，结构有序的 CNGS(Ca3NbGa3Si20l4)、STGS(Sr3TaGa3Si20l4)、SNGS(Sr3NbGa3Si20l4)、CTGS(Ca3TaGa3Si20l4)晶体被相继 报道。 收稿日期：20074)3-07 基金项目：国家自然科学基金项目资助(No 作者简介：石绪忠(1981-)，男，山东省人，博士研究生。E—mail：xzshi@icm．sdu．edu．en 第6期 石绪忠等：A3BGa3Si2Ol4(A=Ca，Sr；