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第36卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．36 No．6 2007年l2月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS December．2007 p／i界面掺碳缓冲层沉积时间对非晶硅 太阳电池性能的影响 薛俊明，韩建超，张德坤，孙 建，任慧志，管智赘，赵 颖，耿新华 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所；光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室； 光电信息技术科学教育部重点实验室，天津300071) 摘要：本文研究了pin型非晶硅(a-Si)太阳电池p／i界面掺碳缓冲层(C—buffer layer)沉积时间对电池效率和稳定性 的影响。研究发现，随着掺碳缓冲层沉积时间的增加，太阳电池的初始效率有所增加，当沉积时间增加到约60s时， 电池的初始效率达最大值，而后随着沉积时间的继续增加，电池效率下降。而在太阳电池的稳定性方面，当缓冲层 沉积时间小于50s时，随着沉积时间的增加，电池衰退率增大；大于50s后，电池的衰退率又随沉积时间的增大而减 小。 关键词：非晶硅；太阳电池；缓冲层；p／i界面 中图分类号：047 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2007)06．1368-04 Effects of Amorphous Silicon-carbide Buffer Layer at p／i Interface on the Performances of a-Si：H Solar Cells XUE Jun-ming，HAN Jian-chao，ZHANG De-kun，SUN Jian，REN Hui-zh ， GUAN Zhi．yun，ZHA0 Ying，GENG Xin．hua (Institute of Photo·electronic Thin Film Devices and Technology，Nankai University；Key Laboratory of Photo·electronic Thin Film Devices and Technology of Tianjin；Key Laboratory of Optoelectronic Information Science and Technology，Ministry of Education，Tianjin 300071，China) (Received 22 January2007，accepted 10 June 2007) Abstract：The effects of deposition time of amorphous silicon-carbide buffer layer at p／i interface on the performance of a-Si：H solar cells have been studied in this paper．The results indicated that the initial efficiency of solar cells were improved with the increasing of buffer layer deposit!on time and the maximum exists at the point of about 60s，and then become worse with increasing the deposition time．As to the stabitity，the light—induced degradation r