第七章半导体磁敏传感器71霍尔传感器.PDF

电子发烧友 电子技术论坛 第七章 半导体磁敏传感器 主要知识点：霍尔传感器、磁敏电阻器、磁敏晶体管的结构、工作原理；各类磁 敏传感器的测量和转换电路及其典型应用。 重点： 霍尔传感器、磁敏电阻器、磁敏晶体管的结构、工作原理。 难点： 霍尔传感器的应用。 7.1 霍尔传感器 霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁传感器。 7.1.1 霍尔效应 一块半导体薄片，如果在其相对的两边通入电流 I ，且电流与磁场垂直，则在半导体的 另两边将会产生一个电势差 U ，这种现象就是霍尔效应，产生的电势差称为霍尔电压。利用 H 霍尔效应制成的元件称为霍尔元件。半导体长度方向上的两个金属电极称为控制电极 （或输 入电极），沿该方向流动的电流 Ｉ，称为控制电流；宽度方向上的两个电极称为霍尔电极 （或 输出电极）。 霍尔效应是半导体中的自由电荷在磁场中受到洛仑兹力作用而产生的。 电子受到的洛仑兹力FL 的大小为： FL=qvB （7-1 ） 在洛仑兹力的作用下，电子向一侧偏转，使该侧形成负电荷的积累，另一侧则形成正电 荷的积累。这样，前、后两端面因电荷积累而建立了一个电场 EH ，称为霍尔电场。该电场将 阻止电荷的继续积累。当电场力与洛仑兹力相等时，达到动态平衡，有 qEH=qvB 霍尔电场的强度为 EH=vB （7-2 ） 所以，霍尔电压 U 可表示为 H U =E b=vBb （7-3 ） H H 当材料中的载流子浓度为 n 时，由电流强度的定义，控制电流I 可表示为 dQ I bdvnq dt I 即 v （7-4 ） nqbd 将（7-4 ）式代入（7-3 ）式，得 1 电子发烧友 电子技术论坛 1 U IB （7-5 ） H nqd 1 取RH ，则（7-5 ）式可写成 nq IB U R （7-6 ） H H d