离子注入对多孔硅可见光发射特性的影响.PDF

第 卷第 期 光 子 学 报 年 月 注 见 离子 入对多孔硅可 光发射特性的影响 周咏东 中国科学 上海技术物理研究所 上海, 金亿鑫 宁永强 李 仅 李菊生 中国科学 长春物理研究所 长春, 文 , 了 子 的 摘 要 本 在前期对 多孔硅发光机理研究的基拙上 研究 离 注入对 多孔硅光致发光 可 以 , 影响 实验表明离子注入除了 降低多孔硅光致发光的强度外 还将使 多孔硅的光致发光 、 , 生一 区和 光谱谱峰产生 蓝移 半高宽展宽 并在多孔硅发光谱带 中产 些发光减弱 次峰结构 文 后 了 中最 对实验现象做 解释 关键词 多孔硅 光致发光 离子注 入 引 言 ‘ ! 美国贝尔实验室的 , 在研究硅 抛光工艺时发现硅 在高浓 的氢氟酸中用低 电 年 片 片 度 , , 、 流密度进行阳极 蚀时 硅 表面不是 行电化学抛光 而是形成了一层无光泽的黑色 色或红色的 腐 片 进 棕 层 后, 这种形成层叫做多孔硅 由于多孔硅的高阻 性 它 被 为一 隔离, 镀 来他把 特 曾 作 种 , 。 介质做成 结构而应用于硅集成 电路中 多孔硅一直没有能引起人们高度的重 年英国的 但