第四章高解析度穿透式电子显微镜分析高解析度穿透式-崑山电子历程.PDF

第四章第四章 高解析度穿透式電子顯微鏡分析高解析度穿透式電子顯微鏡分析 (HRTEM) 第四章第四章 高解析度穿透式電子顯微鏡分析高解析度穿透式電子顯微鏡分析 許宏泰、徐英展、陳志立、謝明勳許宏泰、徐英展、陳志立、謝明勳 許宏泰、徐英展、陳志立、謝明勳許宏泰、徐英展、陳志立、謝明勳 台灣大學化學系台灣大學化學系 台灣大學化學系台灣大學化學系 摘要 電子顯微鏡，可簡單定義為一項利用電子與物質作用所產生之訊號來鑑定物質構造及細微結 構的精密儀器。材料研究近年來已進入原子尺度的範圍，從原子排列的情形來探討材料的結構及 其性質，為了觀察如此微小的尺度，新的研究工具也陸續出現，高解析度電子顯微鏡可提供材料 內部的型態與晶體原子結構，經加裝其他分析設備亦可以分析組成成分，是鑑定材料內部結構極 有用的工具。本文將針對高解析度穿透式電子顯微鏡量測技術為主，分別說明電子顯微鏡的歷史 發展、成像原理、儀器設備、分析方法以及實際應用的例子，作完整的介紹。 關鍵字：電子顯微鏡 (EM) 、高解析度穿透式電子顯微鏡分析(HRTEM) 11引言引言.. 定電子顯微鏡磁場透鏡構造的基礎。1934 年， 11引言引言.. 一般光學顯微鏡之分辨極限受限於可見 Rüska發表第一部穿透式電子顯微鏡 (TEM) ， 光光波之波長，只能觀察到0.2 µm 以上的東 1935 年，Driest和 Muller改良 Rüska的電子顯 西，而電子顯微鏡可以辨別 1~2 Å 小的物體 微鏡，使其解像力大於一般的光學顯微鏡， [1] 。電子顯微鏡，可簡單定義為一項利用電子 1938 年，B. von Borries和 E. Rüska 為德國 與物質作用所產生之訊號來鑑定物質構造及 Siemens 及 Halske 公司設計了首部商業化磁 細微結構的精密儀器，在材料科學方面是一個 界型電子顯微鏡， 1944 年，Von Ardenne改良 重要且必備的工具。尤其在分析材料的顯微結 電子顯微鏡之解像力達 12~15 Å ，1946 年， 構(microstructure)及微區域成分時，能有效掌 Hillier改良子顯微鏡的解像力達 10 Å ，1947 握材料的特殊性質。例如一些工程材料是否為 年，Hillier和 Ramberg設計補助物鏡，當時由 單晶或多晶，是否有第二相產生；以及晶界、 於研磨試片的困難及缺乏應用的動機，所以很 析出物/基地的結構與介面成分的偏析。因此 少被研究者使用。直到 1949 年，Heidenreich 隨著科技的進步與材料元件的日趨微小，使得 製成適用 TEM觀察的鋁及鋁合金薄膜，觀察 材料顯微結構與成分方面的研究與電子顯微 到因厚度及晶面不同所引起的像對比效應，並 鏡的應用已達息息相關的程度。 成功利用電子繞射理論加以解釋，同時也獲得 電子顯微鏡之源起 [2,3] ，應溯及電子發射理 一些與材料性質有關的重要結果，才使材料界 論的萌起。 1897 年，J. J. Thomson 人士對TEM看法改變。此後，經各種研究方 發現電子之 後，1924 年Louis de Bröglie發表電子波動說， 法的改進，如試片的研磨、聚光透鏡改良、晶 提出運動的電子可以有類似光波的性質， 體缺陷理論發展等，逐漸的被廣泛使用，美 1926~1929 年，E. Schrödinger 、Germer 、H. 國、加拿大等先進國家也陸續地有磁界型電子