脉冲激光沉积系统（PLD）的应用——制备GaN薄膜.pdfVIP

李晓兰等：脉；中激光沉积系统(PID)的应用——制备GaN薄膜 脉冲激光沉积系统(PLD)的应用——制备GaN薄膜 李晓兰，薛 琴，王建秋 (江西师范大学 物理与通信电子学院 江西省光 电子与通信重点实验室 江西 南 昌 330027) 摘 要：采用脉冲激光沉积技术，在A10。衬底上生长GaN薄膜，利用x射线衍射 (XRD)、原子力显微镜(AFM)研究不 同沉积温度 、不同沉积压强对所生长的GaN薄膜晶体结构特征的影响。研究表明，在 750℃的沉积温度时，GaN薄膜 的结 晶质量较高；在 2OPa以下的沉积气压下，GaN薄膜的晶体质量随着沉积气压的升高而提高。 关键词：脉冲激光沉积系统；GaN材料；薄膜材料 ；沉积温度；沉积气压 ‘ 中图分类号 ：TN40 文献标识码 ：B 文章编号 ：1004—373X(2008)22—012一O3 ApplicationofPulsedLaserDepositionPLD System ：M akingGaN ThinFilm I．IXiaolan，XUEQin，WANGJianqiu (JiangxiOptic—electronic＆ CommunicationKeyLab，CollegeofPhysics＆．CommunicationElectronics，JiangxiNormalUniversity，Nanchang，330027，China) Abstract：ByaPulsedLaserDeposition(PID)，GaN filmshavegrownonA12O3substrates．Theinfluenceofdifferentsub— stratetemperatureanddifferentdepositionpressureonthecrystallinityofGaN filmsaresystematicallystudiedbyX～ rayDif fraction(XRD)，AtomicForceMicroscope(AFM)．Itisfoundthatthehigh—qualityhexagonalwurtzitestructuresusingasub— stratetemperatureof750 ℃ ，andthecrystallinequalityofthe(aN filmsisimproved with increasingdeposition pressure to 20Pa． Keywords：PLD system ；(aN material；thinfilm ；substratetemperature；depositionpressure 随着微 电子行业 的发展 ，对材料的要求越来越复 子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔 杂，越来越高，人们开始关注材料 的微观结构和宏观特 的前景 。 性的关系，原子工程学已成为研究热点。当薄膜沉积技 脉冲激光沉积是指用激光使材料挥发，从而将材料 术达到原子级精度时，就提供了研究材料特性的一种重 镀在所要求 的物体 (衬底)上的薄膜沉积技术 ]。通常 要方法。脉冲激光沉积技术已经成为了制作这种独特 使用的是一种准分子激光 ，在紫外的范围内，产生强烈 材料的重要方法l】]。 的脉冲 (频率为 0～100Hz)光束。典型的波长是 PLD(脉冲激光沉积技术)已经广泛应用于制备各 193nm(ArF气体准分子激光)、248nm(KrF气体准分 种材料的晶体薄膜l2)。本文以江西省光电子与通信重 子激光)、308nm(XeCI气体准分子激光)等。脉冲激 点实验室利用 PLD技术制备的GaN薄膜材料为例 ，分 光沉积的物理过程是极其复杂的，它涉及高功率脉冲辐 析