掺锑zn-sn-o透明导电膜的制备及特性 the preparation and properties for antimony-doped zn-sn-o films.pdfVIP

第26卷第5期 太阳能学报 vol26．No．5 2005年10月 ACrAE]姬mGIAESOU幔玛SⅡ虹CA 0c1．．2005 掺锑Zn．Sn．o透明导电膜的制备及特性 黄树来1，一，马瑾1，盖凌云2～，姜永超2，计峰1，马洪磊1，余旭浒1 (1山东大学物理与微电子学院，济南250100；2．莱阳农学院理学院，莱阳265200； 3．石油大学资源与信息学院，昌平102249) 摘要：采用射频磁控溅射技术在7Q59玻璃村底上低温制备出具有多晶结构的掺锑锌一锡一氧(zr卜‰-0：sb)透明 导电膜。研究了制备薄膜的结构、成分、电学和光学特性以及退火温度对薄膜性能的影响。ZI卜‰．O：sb透明导 o×1019cml。，5．8co·v。1·s～。薄膜的 电膜的电阻率为1．5×lo。n·锄，相应载流子浓度和霍尔迁移率分别为8 可见光平均透过率达到了85％。 关键词：磁控溅射；zr卜昧0：sb膜；光电性质 中圈分类号：11(511+·4文献标识码：A O引言 1实验 氧化锡(sn02)和氧化锌(孙O)透明导电膜是制 备高效、高稳定性薄膜太阳电池的重要材料u“。。 玻璃衬底上制备出孙sn—O：sb薄膜。设备的基础 与ⅡO和Sn0，相比，矗0在氢等离子体中具有更好 真空为2×10。3Pa，溅射所用的陶瓷靶是用纯度为 的稳定性，但踟0存在表面和晶粒间界氧吸附导致 电学性能下降的问题；snq的电学性能非常稳定，后再掺人重量比为6％的sb203粉末(纯度为 但存在难以亥0蚀的问题。趾sn．0透明导电膜可以 兼备znO在氢等离子体中良好的稳定性和Sn02电 直径大约是8．5cm，靶到基片的距离为5m。溅射过 学稳定性高的优点，同时价格低且无毒，被认为是透 明导电膜材料研究进一步发展的方向”～。目前 温度为150℃。溅射过程中，靶是水冷的。纯氩气溅 500℃衬底温度以下制备的z”Sn．o薄膜为非晶结射制备的薄膜颜色呈浅棕色，光学透过率不高。将 构”“]，而一般来讲，非晶结构对掺杂是不敏感的。 制备的样品在真空中进行退火处理可以明显地提高 多晶结构有利于提高薄膜载流子迁移率，而比较完 薄膜的结构和光电性能。退火是在真空度为5× 整的结晶结构则是利用掺杂方法提高载流子浓度的 10。2Pa的环境下进行的，升温和降温的速率控制在 前提。我们尝试采用掺杂来改变薄膜的结构，使得 5qc／111in左右。 D，Max吖A型x射线衍射仪对薄膜的结 在较低的衬底温度下能够制备出具有多晶结构的 用Ri帮ku 构进行分析，使用cu陆射线源；用美国‰00r公司 办．sn-O薄膜。在适当锌锡比例的Z11．SⅡ．0中加入 sb，以改善Zn．sn—O薄膜的结晶状态。本文中，我们生产的mpha台阶仪测量薄膜的厚度；用美国陆k公 首次在低温下(150～450℃)制备出具有多晶结构的 掺锑办一sn．o透明导电膜(zn—Sn．O：Sb)，并对制备薄模式下对薄膜的表面形貌进行观察；用Micmla咖 膜的结构、成分和光电性质以及真空退火处理对薄 x射线能谱仪测量分析薄膜的组分；用v衄d口Pauw 膜结构和光电性质的影响进行了研究。 技术测量得到霍尔效应。用日本s岫rHjzLl公司生产 收稿日期：2004埘．16 基金项目：国家自然科学基金资助项目(60276D44)；教育部科学 技术研究重点项目资助(熏点02165) 万方数据万方数据 5期 黄树来等：掺锑五卜s-卜0透明导电膜的制备及特性