静电纺丝技术制备nio＠ai2o3＠tio2同轴三层亚微米 - 电缆情缘网.pdfVIP

Vo1．32 高 等 学 校 化 学 学报 No．8 2011年 8月 CHEMICALJOURNAIOF CHINESEUNIVERSITIES 1673～l679 静电纺丝技术制备 NiO@AI2O3@TiO2同轴 三层亚微米电缆及其形成机理 宋 超，董相廷 ，王进贤，刘桂霞 (长春理工大学化学与环境工程学院，长春 130022) 摘要 采用静电纺丝技术制备了[Ni(CHCOO)2+PVP]@ [A1(NO)+PVP]@ [n(OC4H9)+CH3COOH+ PVP]前驱体复合电缆，将其进行热处理后，制得了NiO@A1：0，@TiO 同轴三层亚微米电缆．采用热重一差热 (TG—DTA)、X射线衍射 (XRD)、傅里叶变换红外光谱 (FTIR)、X射线能量色散谱 (EDS)、能量色散型x射 线荧光光谱 (EDX)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等技术对样品进行了表征．结果表明， 所得产物为NiO@A1，O@TiO，同轴三层亚微米电缆．亚微米电缆芯层为NiO，直径约 135～140nffl；中间层 为A1O ，厚度约215～220nnl；壳层为TiO ，厚度约 155～160nm．对NiO@A1O3@TiO 同轴三层亚微米电 缆的形成机理进行了探讨． 关键词 NiO@A1O@TiO ；同轴三层亚微米 电缆；静电纺丝技术 中图分类号 O614．32；TB34 文献标识码 A 文章编号 0251—0790(2011)08—1673~7 近年来，准一维纳米材料如纳米线、纳米带、纳米管及纳米 电缆由于其独特的物理和化学性能而 在生物医学传感器、光电子器件 、场效应晶体管和场发射器件等领域具有潜在的应用前景 ¨J．同轴纳 米 电缆的研究起步于20世纪90年代中期，到 目前为止，通过采用不同的合成方法和使用不同种类的 物质，已成功制备出了上百种同轴纳米 电缆，如 CdS@TiO2。，Ag@Polypyrrole ，CdS@PANI 和 SiC@C 等．在过去的十多年中，人们在原有制备准一维纳米材料的基础上开发出许多制备同轴纳米 电缆的方法，如水热法、溶胶一凝胶法、气相生长法和模板法等。。． 静电纺丝技术是一种制备超细纤维的重要方法．1934年，Formhalsl介绍了利用静电斥力获得聚 合物纤维丝的技术，认为它是一种简便、低耗的纳米纤维制备技术．近年来，随着纳米科技的发展，这 一 技术又重新受到人们的关注 J．董相廷等 利用静电纺丝技术制备了YO：Yb¨，Er¨上转换纳米 纤维，测试结果表明，得到的上转换纳米纤维属体心立方晶系．刘莹等 ¨o一利用静电纺丝技术制备了 GdGaO ：Eu¨多孔发光纳米带．张双虎等… 用静电纺丝技术制备了TiO。@SiO纳米同轴电缆．王进 贤等 ¨采用同轴静电纺丝技术，制备了YO：Eu¨@SiO 豆角状纳米电缆．Chen等 ”采用静电纺丝 技术制备了TiO@空心@TiO和PS@空心@PAN同轴三层空心纳米 电缆，但采用静电纺丝技术制备 NiO@A1O@TiO 同轴三层实心纳米电缆结构 目前还鲜有报道． NiO由于具有电致发光性 、热敏性和电化学活性而被广泛应用于光电转化、电池 电极、电化学电 容器和高性能催化剂等；A1O 具有耐腐蚀性、化学稳定性和热稳定性，被广泛应用于冶金、机械、化 工、电子、医学、航空和国防等领域 ¨；TiO 具有光催化、光电转化及生物相容性等性能，且化学性 质稳定，在光催化分解有机物、光电池电极、珠光材料、组织器官和消毒抗菌等方面获得广泛应用 ¨． 本文采用静电纺丝技术制备了[ (CHCOO)+PVP]@ [A1(NO)，+PVP]@ [Ti(OCH。)+ CHCOOH+PVP]前驱体复合电缆，将其进行热处理后获得了NiO@A1，O@TiO，同轴三层亚微米 电 收稿 日期 ：2010—12—27． 基金项 目：国家 自然科学基金(批准号、吉林省科技发展计划重大项 目(批准号20060504)、教育部科学技 术研究重点项 目(批准号：207026)、长春市科技汁划项 目(批准号：2007045)和吉林省教育厅 “十一五”科学技术研