重庆大学《模拟电子技术》第8章_场效应管及其放大电路.pptVIP

N沟道JFET的工作原理： （1）vGS对导电沟道和漏极电流的控制作用 c)当PN结的反向电压足够大时， 两个PN结的耗尽层合拢，导电沟道消失，漏源间的电阻最大。 对应于导电沟道刚刚消失的栅源电压称为夹断电压，用VP表示。 c) vGS VP, 导电沟道消失 如果在漏源之间作用正电压vDS，则在vGS由0至VP的变化过程中，导电沟道电阻逐渐增大，漏极电流iD逐渐减小。实现了栅源电压对漏极电流的控制。 （2）vDS对导电沟道和漏极电流iD的影响 N沟道JFET的工作原理： 设VPvGS0，且vGS为定值。 a) vDS vGS－VP 当作用正的漏源电压vDS时，使PN结的反向电压增大，另一方面在导电沟道中产生电流，即漏极电流iD。 PN结的宽度不同，即漏极端宽、源极端窄 a) vDS vGS－VP b) vDS =vGS－VP b) vDS =vGS－VP 当vDS增大到使PN结漏极端的反向电压等于夹断电压，即vDS-vGS=|VP|时， 漏极端的2个PN结合拢，导电沟道发生预夹断; 再增加vDS，则预夹断向源极方向延伸，如图c）所示。 c) vDS vGS－VP c) vDS vGS－VP 预夹断前，沟道电阻基本不变，漏极电流iD随vDS线性增加。 预夹断后漏极电流基本保持预夹断前的电流，不再随的vDS增加而变化，具有恒流特性。 综上所述，JFET的导电沟道中只有一种类型的载流子参与导电，这与MOS管一样，所以，JFET也是单极型晶体管。 iD受vGS控制，JFET是电压控制电流器件。 预夹断前iD与vDS，近似呈线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 P沟道结型场效应的工作原理与N沟道JFET的工作原理相似，不再赘述。 N沟道JFET的特性曲线： 8.2.2 JFET的特性曲线 (a) 输出特性： (b)转移特性： 与MOS管一样，结型场效应管的输出特性也有三个工作区域：可变电阻区、恒流区及截止区。 与耗尽型MOS管相似，结型场效应管工作在饱和区时，漏极电流方程是 （VP vGS0，vDSvGS-VP） 各类场效应管的符号及特性曲线表： P沟道 8.3 场效应管放大电路 场效应管通过栅源电压vGS来控制漏极电流iD，场效应管具有输入电阻高的特点，它适用于作为多级放大电路的输入级，尤其对高内阻的信号源，采用场效应管才能有效地进行放大。 8.3.1 场效应管放大电路的3种组态 8.3.2 直流偏置电路和静态分析 因为场效应管是电压控制器件，栅极电流近似为零，所以场效应管静态偏置电路必须建立合适的栅源电压VGS，并产生适当的漏极电流。 1.固定偏压式共源放大电路 栅极电压源VGG为MOS管提供大于开启电压VT的直流偏置电压， 漏极电压源VDD和偏置电阻Rd提供漏极直流电流通路。 场效应管放大电路的静态分析可以采用图解法和计算法。 0 i D /mA v D S /V v GS ＝ V GG V DD V DD / R d V D SQ I D Q (1) 图解法求静态工作点 电容C在直流通路中相当于开路。 vGS=VGG ① vDS=VDD－iDRd ② 在输出特性上做出方程②的直线; 与vGS＝VGG的输出特性曲线的交点Q即为静态工作点; Q的坐标即MOS管的漏源直流电压VDS和漏极直流电流ID。 Q (2) 计算法求静态工作点 当N沟道增强型MOS管工作在恒流区时，iD的近似表达式为: 得方程组： 解得静态工作点Q（VGS，VDS，ID） 由于栅极的直流偏置电压是一个固定值（vGS＝VGG），所以称为固定偏压式电路。 2.自给偏压式共源放大电路 令vi=0，电容在直流通路中相当于开路。 由于VGS＝-RsID，即栅源偏置电压是由MOS管的漏极电流自己形成的，故称为自给偏压电路。 用增强型MOS管却不行，因为在栅源电压为零时，增强型MOS没有导电沟道，即无漏极电流，不能形成自偏压。 T为N沟道JFET 例 8.2 共源放大电路如图所示。图中，Rg =1M?，Rs=2k?，Rd=12k? ，VDD=20V，IDSS=4 mA，VP =－4V，求ID和VDS。 解: 方程组中，电压的单位是V，电流的单位是mA ,电阻的单位是kΩ。 将第一个方程代入第3个方程，得 解得： ID1=4mA→vGS1=-2ID1=-8VVP=-4V ID2=1mA→vGS1=-2ID1=-2VVP=-4V T为N沟道JFET (舍去) 3.分