总测验六.DOC

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总测验六

【註】 若遇是非題,A選項表示O;B選項表示X、是非題每題1分,答錯倒扣0.5分。 人員因受傷超過一天,而不能恢復正常工作的傷害,稱為失能傷害,又稱為失時傷害。 若預知可能會有危險時,可不必協調相關人員,而自行離開。 任何的布林函數,均可以用兩層閘電路(反相器,不算一層)實現。 編號74LS00之積體電路,內部有四組兩輸入正邏輯NAND閘,共有14支接腳。 大多數的AC電表都是指正弦波的平均值。 某調幅波在示波器出現如圖所示之波形,則其調幅百分率應為50%。 在RLC 交流電路中,當功率因數為1 時,電壓與電流之相位差為90°。 聯考時電腦閱卷所採用的資料處理作業方式係即時處理。 16位元的資料,若採用2 的補數,則可以表示的範圍為:+32767至-32768。 示波器使用×10測試棒,可對頻率做最佳的補償。 史林電橋(Schering bridge)是被使用為電容量測的交流電橋。 射頻電子電壓表上dBm的刻度,參考位準係刻度在0.775V位置。 放大器作方波測試時,經示波器顯示出待測放大器輸出的方波波形為“”時,則表示該放大器有低頻域信號相位前移的現象。 詹森計數器(Johnson counter)的優點,是每次由現態變次態,只變動一個位元,因此,錯誤發生機率較小,可以作為高可靠度的計數器。 同樣的記憶容量比較時,SRAM(靜態隨機存取記憶體)所佔的晶片面積,通常比DRAM(動態隨機存取記憶體)較小。 格雷碼是數碼的一種,它與二進碼之間的轉換,可以很容易的用XOR 閘做成,它不具有偵錯碼的性質。 PN接面二極體之空乏區只有正、負離子,沒有自由電子與電洞。 頻率為30MHz~300MHz的無線電波,屬於極高頻率(VHF)範圍。 電晶體在電路中作為開關時,其主要工作於工作區與截止區間交互作用。 主要影響放大器高頻響應的電容為耦合電容。 中國線規(C.W.G)採用公制,單線以直徑m 表示,絞線則以其截面積平方米(㎡)表示。 在RLC 並聯電路中,只有R 真正消耗功率,L 及C 只影響電路電流的大小及相角,故R 消耗之功率即為電路的功率。 單一N 型半導體有較多自由電子,因此其所帶電性為負電。 電晶體用於小信號放大電路時,其工作點必須位於工作區。 文書處理軟體係屬於系統程式的一部份。 洗製印刷電路板時,可將電路板置於氯化鈉溶液中搖動,則可增加腐蝕速度。 示波器垂直軸的頻帶寬度,主要是受限於垂直放大器的頻帶寬度。 使用三用電表的dB刻度量測一負載為6Ω的放大器之輸出,電表的讀數為16dB,則該放大器的輸出為36dB。 電子電壓表的輸入阻抗較三用電表為高,所以量測值會因負載效應之影響而提高。 共集極放大器的電流增益為電晶體三種放大電路中最高的,但無電壓增益。 某帶電的兩平行板間,其任何一點的電場強度均相等。 高週線圈之鐵芯,一般均壓製成鐵粉芯的目的為減少渦流損失。 在電解中,兩極所析出之物質質量,各與其所通過之電荷Q 成正比率,與其物質之化學當量成反比率。 單層線圈之電感量與匝數N 的關係為與N2成正比。 輔助記憶體的存取速度較主記憶體為慢。 圖符號之等值電路為。 n通道空乏型MOSFET,閘源極間加上一負電壓時,通道寬度加大。 右圖符號為交流定電流源 輔助識圖主要用於表示物體內部的形狀。 光敏電阻又稱cds,其電阻值大小會隨著入射光的強度成反比。 霍爾元件是用來作為壓力之檢測。 光電晶體以開基極操作之靈敏度最大。 膜片為一種壓力對位移之轉換器。 光學條碼Cord 3 of 9碼,使用一些英文、數字的代表碼,是一種適合輸入個人電腦的專用碼,其規則是使用3個較窄單元,及6個較窄單元所構成,亦即在字元間沒有空白的表示。 三個布林變數XOR(互斥或邏輯)的結果,是全加器的Cout(進位輸出)的布林式。 場效應電晶體可被應用為壓變電阻(Voltage variable resistor,VVR)。 B類放大器是工作於負載線的中央,所以失真小。 在RC耦合電路中,C值必須甚大,其原因為級與級間之直流可順利通過。 改善視頻放大器之高頻響應可附加峰化線圈。 掃描產生器(Sweep generator)輸出一特定範圍內頻率連續可變的信號,其輸出的振幅需維持恆定不變。 加強輔導事業單位的自動檢查及安全衛生檢查的執行單位為 (A)勞委會 (B)衛生署 (C)營建署資策會 (D)環保局。 都卜勒效應(Doppler effect)應用在:(A)溫度(B)壓力(C)流量(D)液位 之測量。 如遇電氣設備或電路著火,下列那一種滅火器不得使用? (A)二氧化碳滅火器 (B)乾粉滅火器(C)水溶性滅火器(D)海龍(HALON)滅火器。 下列元件中,那一個的內部資料不會因停電而消失? (A) DRAM (B) SRAM (C) EEPROM (D) CM

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