尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响 Effect of Scalling Down on the Characteristic of Trench MOSFET.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响 Effect of Scalling Down on the Characteristic of Trench MOSFET.pdf

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器件割缝与摩搦酗鞠蠡瞳瘟g艟l轰则喇鞭《1)蝴l阱尺寸缩小对沟槽MOSFET性能的影响陈开宇，刘佩林 (上海交透夫学毫子毒遵傣王整学院，上海200240) 积)值，讨论了在无胞间距尺寸缩小到1．4脚时，由于制造工艺的局限性以及沟道长度变短、结深变浅后，器件穿通风除加大。提出在不增加掩模版的前提下通过优化置艺，利用突起式结构以及沟槽式接触技术克服这一潜在风险，最终通过试验验证，得到了高稳定性低导通电阻的低压 TMOS。关键词：沟槽金麟氯化物半导体场效应晶体管；突起式多晶硅；器件穿通；海槽式接触；多晶硅去除量中圈分类号：TN386文慧标识码：轰 Effectof DownontheCharacteristicofTrenchMOSFET Scalling Chen Peilin Kaiyu，Liu E／ectron／c (Inst／uae Tong‰毋，瓤喇200240，吼妇) of Eng／neer／ng，SMngha／J／ao characteristicoftrenchMOSFETWaSintroduced．Inordertoachievethe Abstract：The smal]er置d㈣‘ to of dueto Area sizew黼scaleddown value，the 1。4弘燃．Meanwhile，thehi痨riskpunch-through pitch limitationwasdescribedwhen smallerandsource becameshallower。 process channel蚴became junction extramaskwas Thenthe訇alution the structureandtrenchcontact without byusingpolystickup technologyany demonstratedtoavoidthose risks。Athat，the trenchMOSFETis potential low-voltagepower successfully to the stable andlow provedget highly performancespecific-on-resistance． words：trench Key MOSFET(TMOS)；stick-uppoly；punch-栅ough；trenchcontact；po|y弛ce瞄 EEACC：2560P O。7 V、元胞间距l。4舢的n型TMOS。 0 亨l富 -l 器件仿宾与王艺实现透几年，随着电子消费产晶需求的鑫益增长，通过图1中传统TMOS的截面图和突起式沟槽功