Si抛光片存储中表面起雾的研究 Study on the Haze Problem of Stored Silicon Wafer.pdfVIP

技lecll术nolo专栏gyColumn咿。I●-●- Si抛光片存储中表面起“雾的研究 程国庆，詹玉峰 (万向硅峰电子股份有限公司，浙江开化324300) 摘要：存储中si片起“雾”是Si片存储面临的最大挑战，“雾”缺陷是可见或可印刷的晶体结 构，从污染生长而来，已是困扰半导体业界长达lO年以上的大问题。半导体制造商们至今还未 能提出良好的解决方案。所以研究Si片的“雾”缺陷，并克服“雾”缺陷显得尤为迫切。从实际生 产出发，根据实验数据分析和理论推导，建立了一个起“雾”原因基本模型，对引起“雾”缺陷影响 因素进行了独立细致的分析，并在这个模型的基础上提出了相对应的有效的解决方案。 关键词：时间雾；携带层；气载分子污染；温湿度 中图分类号：TN305．2文献标识码：A onthe“Haze’’ProblemofStoredSiliconWafer Study