高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中正电荷密度的影响鄢 - 物理学报.pdf

物理学报摇 粤糟贼葬孕澡赠泽援杂蚤灶援摇 灾燥造援远园袁晕燥援缘 渊圆园员员冤摇 园缘远员园源 高剂量注氮对注氧隔离硅材料埋氧层中 正电荷密度的影响鄢 员冤 员冤覮 圆冤 猿冤 猿冤 猿冤 猿冤 猿冤 唐海马 摇 郑中山 摇 张恩霞 摇 于摇 芳 摇 李摇 宁 摇 王宁娟 摇 李国花 摇 马红芝 员冤渊济南大学物理系袁济南摇 圆缘园园圆圆冤 圆冤渊上海工程技术大学材料工程学院袁上海摇 圆园员远圆园冤 猿冤渊中国科学院半导体研究所袁北京摇 员园园园愿猿冤 渊圆园园怨年员圆月圆愿 日收到曰圆园员园年苑月圆苑 日收到修改稿冤 员远 原圆 摇 摇 为研究注氮改性对注氧隔离硅材料中埋氧层性质的影响袁向其埋氧层内注入了员园 糟皂 的高剂量氮援实验结 果表明袁与未注氮的埋氧层相比袁所有注氮的埋氧层中的正电荷密度显著增加援实验还发现袁注氮后的退火可使埋 氧层内的正电荷密度进一步上升援但与注氮导致的埋氧层内正电荷密度的显著上升相比袁退火时间对注氮的埋氧 层内正电荷密度的影响不大援电容鄄电压测量结果显示袁在埋氧层内部袁注氮后未退火的样品与在员员园园益的氮气气 氛下退火圆郾缘澡 的样品相比袁二者具有近似相同的等效正电荷面密度援然而袁经园郾缘澡退火的样品却对应最高的等 效电荷面密度援为探讨注氮埋氧层内正电荷产生的机理袁对注氮在埋氧层中导致的注入损伤进行了模拟援模拟结果 表明袁氮离子注入在埋氧层内引入了大量的空位缺陷援对比注氮与退火前后的傅里叶变换红外光谱发现袁注入损伤 在经园郾缘澡 的高温退火后即可基本消除援实验还对退火前后的注氮样品进行了二次离子质谱分析援分析认为袁注入 的氮在埋氧层与硅界面附近积累袁导致近界面富硅区的硅鄄硅弱键断裂是注氮埋氧层内正电荷密度增加的主要 原因援 关键词院注氧隔离袁埋氧袁注氮袁正电荷密度 孕粤悦杂院远员援苑圆援哉原袁苑猿援源园援栽赠 辐照效应援当月韵载 中的正电荷积累到一定程度时袁 员郾 引 言 杂韵陨灶 沟道晶体管的背栅界面将会反型袁致使器件 咱猿要缘暂 漏电电流增加尧电特性参数漂移袁并最终失效 援 绝缘体上硅渊杂韵陨冤是一种新型的硅基材料袁 由 因此袁相对于体硅器件袁杂韵陨器件在抗总剂量辐照能 顶层硅尧埋绝缘层渊一般为 杂蚤韵圆 冤及衬底构成援在使 力方面没有优势袁反而因月韵载层的存在增加了抗总 用杂韵陨技术制作的器件中袁因有埋氧层渊月韵载冤将器 剂量辐照加固的复杂性援 件和衬底完全隔离袁因而杂韵陨器件有着许多传统的 为提高杂陨酝韵载杂韵陨 材料的抗辐照能力袁进而提 体硅器件所无法比拟的优点援例如袁与体硅互补金 升杂韵陨器件的抗总剂量辐照水平袁可用离子注入方 属鄄氧化物鄄半导体渊悦酝韵杂冤器件相比袁杂韵陨悦酝韵杂功 式袁向材料的 月韵载 中注入一定剂量的氟尧硅或 耗低尧速度快尧抗瞬时辐照能力强袁并可有效消除体 氮咱远原员圆暂援然而袁在向 月韵载 进行离子注入的同时袁不 硅 悦酝韵杂 器件运行过程中可能出现的闩锁效 可避免的会对顶层材料造成一定的注入损伤援尽管 应咱员袁圆暂援然而袁在采用注氧隔离渊杂陨酝韵载冤技术制备的 这样的