退火对n离子注入znoal薄膜性能的影响 effects of annealing on properties of n-implanted zno al thin films by sol-gel technique.pdfVIP

■ SEMICONDUCTOROPTOELECTRONICSV01．29No．2 Apr．2008 Al薄膜性能的影响 退火对N离子注入ZnO 9 霞 袁兆林 祖小涛1’2，薛书文1，邓宏3，毛飞燕3，向 (1．电子科技大学物理电子学院．四川成都610054；2．中国科学院国际材料物理中心。辽宁沈阳110015； 3．电子科技大学微电子与固体电子学院。四川成都610054) 摘 要： 膜，将能量56keV、剂量1×1017 ions／cm2的N离子注入到薄膜中。离子注入后，样品在500～900 ℃氮气气氛中退火，利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射谱和四探针研究了退火温度对 薄膜性能的影响。结果显示，在800℃以下退火，随退火温度提高，薄膜结晶性能逐渐变好；在600 ℃以上退火，随退火温度提高，紫外近带边发光峰(NBE)和缺陷相关的深能级可见光发光带都逐 渐增强；600℃退火时，样品的电阻率仅为83Q·am。 关键词： 溶胶一凝胶法；离子注入；退火，光致发光；电阻率 中图分类号：0484．4 Effectsof on of ZnO：AIThinFilms AnnealingPropertiesN-implanted bySol—gelTechnique YUANZhao-linl，ZUXiao-ta01”，XUE Xial Shu—wenl，DENGHon93，MAO Fei—yan3，XIANG of ofElectronicScienceand of (1．School TechnologyChina，Chengdu610054，CHN； PhysicalElectronics，University CenterforMaterial of 3．scl●∞10fMkroeleeU删aies 2．International Physics，Chinese 110015，CI-IN1 AcademyScknces，Shenyang andSolid-State ofElectronicScienceand of Technology 610054。CHN) Electronics，University China。Chengdu ZnO：Althinfilms with on Abstract： 1％aluminum(Al／Zn=1％)were doped deposited substrates ionsofdoseions／cm2were at56keV (0001)A1203bysol—geltechnique，N