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第四章 真空溅射镀膜 Vacuum Sputtering Coating 4.1 溅射技术 Sputtering Technique 4.2 直流溅射镀膜 D.C. Sputtering Technique 1）二极溅射 ①原理：异常辉光放电产生正离子 ②结构： 镀膜室 基片架及基片 溅射靶 加热装置（促进发射电子） 充气系统——工作气体Ar气，反应气体 抽气系统——本底真空 10-3Pa， 工作真空 1~10Pa 电气系统——放电电源 ③缺点： 参数不能单独控制， 靶材必须为良导体，且易于发射电子 沉积速率低 基片温升高（电子轰击） 2）三极（四极）溅射?结构 4.3 （直流）磁控溅射镀膜 Magnetron Sputtering Technique 利用磁场控制电子的运动 1）磁控靶 设计要点：①产生均匀正交电磁场，电场⊥，磁场∥。关心水平磁场的强度和分布。 ②磁场形成封闭回路，电子在其中循环飞行。 ③防止非靶材成分的溅射，加屏蔽罩。屏蔽间隙δ＜2re 结构形式:107 Fig4-15 ①圆平面靶 3）工作特性及参数 ①电流电压特性： 低压等离子体放电 电压↑，电流↑； 气压p↑，放电电压U↓，电流I↑； 与靶的结构有关。 ②沉积速率：单位时间成膜厚度 q r nm / min 相对沉积速率与气压的关系 P110 Fig4-19 沉积速率与靶电流的关系 P110 Fig4-21 沉积速率与靶基距的关系 P110 Fig4-20 4.4 射频溅射镀膜 R.F.(Radio Frequency) Sputtering Coating 4.5反应溅射镀膜 Reaction Sputtering Coating 4.7典型磁控溅射镀膜机 Typical Coating Equipment by Magnetron Sputtering 第五章 真空离子镀和离子束沉积 Ion Plating Ion-beam Deposition 5.1 真空离子镀 　 Ion Plating 4）离子镀装置 不同的蒸发源+不同的离化源（放电等离子体） 蒸发源——电阻加热，电子束加热，感应加热 放 电——源靶二极直流放电，阴阳极放电，基片第三极负偏压 例如：HCD枪 5.2真空电弧离子镀（多弧镀） Arc Ion Plating? 也称多弧离子镀Multi-Arc Ion Plating，利用真空条件下的弧光放电进行镀膜 1)弧光放电 特征——低电压~20V；大电流10~100A；负特性I↑V↓；成膜快 机制——大量正离子轰击阴极局部，使其局部加热到高温，形成热电子发射和金属热蒸发，金属蒸汽大量电离后形成离子鞘层，大大降低阴极位降，提高放电电流。 发射电子和金属蒸汽的地方，温度最高，电场最强，逸出功最小。 现象：小弧豆，灼坑，边缘尖端放电，导致辉点转移，滚动可达150m/s，后部弧光散开。 5.3离子束沉积 Ion Beam Deposition 思考题 与_______相比,磁控溅射镀膜具有”三低一高”的特点,是指________________. 射频溅射镀膜的主要用途是_________. ___________靶可以有效解决______溅射镀膜的靶中毒和_______问题. 镀膜机的工作方式有周期式、_______和________. 1）原理： 解决绝缘材料的溅射 A+入射轰击，维持10-7s电位抵消，反转电极 e入射中和，维持10-9s，电荷中和 射频电源：频率13.56MHz 正负半周各在10-7s左右 特点：气体极易被击穿，所以击穿（破裂）电压和放电电压仅为直流溅射 2）装置 射频二极溅射—— 射频磁控溅射——二者区别：溅射靶有无磁场 P119，Fig4-32 ? 3）电源 射频源13.56MHz 电阻电容耦合 关键解决屏蔽问题：电源问题 同轴传输导线；靶； 室体——用导体 观察窗——金属网或旋转挡板 4）脉冲溅射 1）定义： 溅射镀膜时，有目的地充入反应性气体，从而在基体上得不同于靶材的薄膜成分 2）原理机制 由于反应性气体的分压较低，所以气相反应很少，固相反应为多数 其中：靶面反应 反应条件是反应气体气压较高时， 基体表面反应 反应气体气压较低时 3）参数：改变反应气体与工作气体的比例，可以改变膜层成