SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响.pdfVIP

第42卷第10期 人 工 晶 体 学 报 V01．42No．10 OFSYNTHETICCRYSTALS October．2013 2013年10月 JOURNAL SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响 刘 兵，陈治明，封先锋，林生晃，王风府 (西安理工大学，西安710048) 摘要：在SiC单晶生长过程中，与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质。本文 介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法，即在粘贴籽晶之前，用直流反应溅射法在籽晶背面镀一层均 匀、致密的耐高温薄膜TiN。实验结果表明，用这种方法生长的晶体中未发现热分解腔和六方空洞，而且微管密度 也有所降低。 关键词：SiC籽晶；升华；热分解腔；微管 中图分类号：078 文献标识码：A onSiC EffectofBack ofSeed Coating CrystalQuality LIU Zhi—ming，FENGXian-feng，LINSheng—huang，WANGn昭乒 Bing，CHEN 7an of (xi 710048，China) UniversityTechnology，Xihn 22 6 (ReceivedMay2013，acceptedAugust2013) seedandseed willlcadtobacksidesublimation interfacebetweenthe Abstract：The holder，which rough tointroducethermal the this uniform crystalquality．Inpaper，a decompositionvacancy，alwaysdestroys theseedbacksidetoavoidseed to and TiN were on sublimation，henceimprove compactlayer deposited resultsshowedthatthethermal vacanciesand crystalquality．Theexperimental decomposition hexagonal voidscouldbe eliminatedvia TiNfilmontheseedbackside．Thismethodto effectively depositing helps the remarkablyimprovecrystalquality． words：SiC Key seed；subliming；therm