第二章 位错的弹性性质a0318.pptVIP

第二章 晶体缺陷 crystal defect  六、实际晶体结构中的位错 Dislocations in real crystals 以上位错结构是以简单立方晶体为研究对象，实际晶体中更为复杂，具有特殊性质和复杂组态 简单立方晶体中，b总是等于点阵矢量。 1 实际晶体中位错的柏氏矢量 单位位错 Unit dislocation：柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错 全位错 Perfect dislocation：柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错，全位错滑移后晶体原子排列不变 不全位错 Imperfect dislocation：柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错，不全位错滑移后晶体原子排列规律变化 部分位错 Partial dislocation：柏氏矢量小于点阵矢量的位错 在实际晶体结构中，位错的b不能是任意的，它要符合晶体的结构条件和能量条件。 1）晶体的结构条件是指b必须连接一个原子平衡位置到另一个平衡位置。 2）从能量条件，位错能量正比于b2，b越小系统越稳定，即单位位错应该是最稳定的位错。 b=点阵矢量 2 堆垛层错 stacking fault 密排堆垛时： FCC晶格中(111)面的堆垛顺序为ABCABCABC… HCP晶格中(0001)面的堆垛顺序为ABABAB… FCC HCP ABCABCABC… ABABAB… A A A A A A A B B B C C C A A B C B C… △△ △△… 实际晶体结构中，密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排，称为堆垛层错，简称层错。 FCC晶格中(111)面的堆垛顺序为ABCABCABC…△△△△△△… HCP晶格中(0001)面的堆垛顺序为ABABAB… △ △ △ △… FCC结构中的堆垛层错 正常排列 A B C A B C… △△△△△△… 抽出一层A 插入一层B 抽出型 插入型 △ A B C B A B C… △△ △△… △ △ △ △ 一层HCP packing △ △ 形成层错时几乎不发生点阵畸变，但破坏了晶体的完整性和正常的周期性，使晶体的能量增加，增加的能量称为堆垛层错能 ?（J/m2）stacking fault energy 层错能低，晶体中容易出现层错； 层错能高，晶体中不易出现层错； 很少出现层错 3 不全位错 imperfect dislocation, partial dislocation 如果堆垛层错不是发生在晶体的整个原子面上而只是在部分区域存在，那么，在层错与完整晶体的交界处就存在不全位错，其伯氏矢量b不等于点阵矢量 层错的边界就是位错 抽出型 插入型 不全位错：堆垛层错与完整晶体的分界线（b矢量不等于点阵矢量） 肖克莱（Schckley)不全位错: b=a/6 [121](在(111)面上） 特点：1）b矢量永远平行于层错面 2）层错为一平面=其边界在一平面内 3）可以为刃型、螺形、混和位错 4）滑移的结果是层错面的扩大或缩小。但不能攀移，因它必须和层错始终相连 Fcc晶体中两种重要的不全位错 - W W W . W A T S O N W Y A T T . C O M 五、 位错的弹性性质 位错 五、 位错的弹性性质 能量、作用力、缺陷的相互作用等 点阵畸变、弹性应力场 对位错线周围r0以内部分不适用 ——畸变严重，不符合上述基本假设 完全弹性体，服从虎克定律 各向同性 连续介质，可以用连续函数表示 基本假设 （连续介质模型） 1 位错的应力场 Stress field of dislocation 定量计算应力场是非常困难的，常采用弹性连续介质模型 正应力：σxx，σyy，σzz 切应力：σxy = σyx， σxz = σzx， σyz = σzy σxy——作用面垂直于 x 轴，方向为 y x y z ?z z ?z y ?z x ?x z ?x x ?x y ?y z ?y x ?y y （a）单元体应力分量 正应变：εxx，εyy，εzz 切应变：εxy = εyx，εxz = εzx x y z o eyy ly x y z o eyy lz （b）单元体应变分量 正应力：σzz，σrr，σθθ 切应力：σzθ=σθz，σzr=σrz，σrθ=σθr 与直角坐标的关系： x y z o ?rz ?rθ ?rr ?θz ?θθ ?θr ?zz ?zθ ?zr （c）柱坐标下分量 6个应力分量：3个正应力、3个切应力 6个应变分量：3个正应变、3个切应变 第一个下