包含负阻效应的高压LDMOS子电路模型.pdfVIP

第47卷 第1期 复旦学报 (自然科学版) VoI．47 No．1 2008年2月 Journal of Fudan University(Natural Science) Feb．2008 文章编号：0427—7104(2008)O1—0021—05 包含负阻效应的高压LDMOS子电路模型 谢 姝 ，曹 娜 ，郑国祥 ，龚大卫2 (1．复旦大学材料科学系，上海200433；2．上海先进半导体制造有限公司，上海200233) 摘 要：高压MOS器件具有复杂和特殊的结构，存在自热效应与沟道长度调制效应．这些效应使饱和区电流会 随电压的增加而减小，即存在负阻效应．为有效表征这一特性，使用标准器件建立子电路模型，通过合适的器件 选择和参数设置来模拟负阻效应．同时，根据不同沟道区域的饱和原理，采用不同的模型与参数进行模拟，使子 电路适用于不同栅压和漏压．子电路具有精确的模拟性能，在电路模拟中，可以作为一个黑匣子直接调用，克服 传统BSIM3模型模拟上的不足． 关键词：器件结构；高压LDMOS；负阻效应；子电路模型 中图分类号：TN 403 文献标识码：A 高压器件现在被广泛的应用于功率电路中，如开关模式的电源和功率放大器．但在对高压MOS器件 的模拟上，不能准确反应漂移区电阻与栅漏电压的非线性依赖关系，成为当前一个瓶颈问题．这主要是因 为在结构上，由于轻掺杂漏结构的加入，使得源漏电阻不对称，导致电压与电流成非线性依赖关系；在性能 上，高压大电流引起自热效应和负阻效应．这些因素都造成现有的标准BSIM3模型不能对这些器件进行 精确模拟，故需要建立一个合适的模型以对器件进行模拟，并在一个较大范围内对器件特性进行描述． 目前针对高压模型，一些模型采用电流模型…1来分析器件内部电荷分布．另有一些采用子电路模 型[2-4 J，增加了内部结点的方法来描述器件．但是，文献[2]侧重于电场与栅漏电压的关系，未能给出子电 路物理模型具体的定量关系；文献[3]需要附加器件内部结点电压测试模型，须预先测得沟道区电压降，再 用于电阻推导，使用灵活性低；文献[4]未能对亚阈值区进行分析，在沟道区的电势只是与沟道位置呈简单 的线性关系．同时，这些模型存在表述电压范围有限的局限性．为简单而便捷地对横向扩散金属氧化物半 导体(1aterally diffused metal oxide semiconductor，LDMOS)性能进行模拟，本文提出了一种含压控电流源 的子电路模型来描述LDMOS晶体管．通常子电路模型是一种经验模型，而子电路中包含的基本元器件， 可以使用电路模拟库中标准模型． 1 高压MOS器件工作原理 本文用于建模的器件工艺结构和参数提取所采 用的测量数据全部来自于上海先进半导体制造有限 公司(ASMC)和实际生产工艺．ASMC采用的是标准 的SVX CMOS兼容高压工艺，器件的耐压分别达到 50 V(N沟)和110 V(P沟)． 图1是简化的HVNMOS器件结构图．具体工艺 图1 简化的HVNMO8器件结构 参数为：栅氧厚度丁。 =59 rim；沟道长度L=3 m； Fig．1 Simplified structure of HVNMOS device n一轻掺杂区的注入能量为40 keV，磷掺量剂量为3．0×10 cm_。．场板覆盖的轻掺杂区的长度Ll=1 m， 无场板覆盖区的长度L2=3 m． 图2(a)(见第22页)表示在较低的漏源电压下，电流随着漏源电压的增加而线性增加，沟道中的载流 收稿日期：2006—10—17 作者简介：谢 姝(1982一)，女，硕士研究生；通讯联系人郑国祥教授 复旦学报(自然科学版) 第47卷 子随着横向电场的增加而增大，此时相当于一个普通的MOS器件．图2(b)表示随着漏源电压的增加，首 先在P1处出现沟道的夹断，由于沟道长度调制效应，其饱和电流随着漏源电压缓慢上升．漂移区与栅极之 间存在电势差，故栅极下方的漂移区顶部出现了耗尽区；同理，由于漂移区与衬底之间存在电位差，漂移区 的底部也存在耗尽区．由于漂移区电阻作用，源