立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究.PDF

中国科学: 物理学 力学 天文学 2010 年 第40 卷 第1 期: 82 ~ 85 SCIENCE CHINA PRESS 论 文 立式氢化物气相外延反应器生长GaN 模拟研究 * * 赵传阵, 修向前 , 张荣, 谢自力, 刘斌, 刘占辉, 颜怀跃, 郑有炓 江苏省光电信息功能材料重点实验室, 南京大学物理系, 南京 210093 * 联系人, E-mail: xqxiu@, rzhang@ 收稿日期: 2009-07-17; 接受日期: 2009-09-07 国家重点基础研究发展计划(编号: 2006CB6049)、国家高技术研究发展计划(编号: 2006AA03A103, 2006AA03A118, 2006AA03A142)、国 家自然科学基金(批准号: 60731160628)、高等学校博士学科点专项科研基金(编号: 20050284004)和江苏省创新学者 攀登项目(编号: BK2008019)资助 摘要 利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化, 发现在新设计 关键词 的立式氢化物气相外延反应器中, 存在衬底与气体入口的最佳距离, 在最佳距离位置上, GaN 氢化物气相外延 沉积的均匀性最好. 在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5 cm. 在此基础上, 模拟 流体动力学 得到了优化的生长参数. 模拟的结果还表明重力方向与GaCl 气体出口方向的夹角的大小, 对GaN 沉积的速率和均匀性影响很大. 重力方向与GaCl 气体出口方向相反时得到的计算 结果与两者方向相同时得到的计算结果比较, 尽管 GaN 沉积速率有所下降, 但是沉积均 匀性却得到了极大的改善. 此外还讨论了浮力效应对GaN 沉积的影响. GaN 是一种重要的Ⅲ族氮化物半导体材料, 它 GaN 生长的关系, 认为衬底附近的 V/III 比是影响 具有直接带隙结构, 其室温禁带宽度为 3.42 eV. 这 GaN 晶体质量的关键因素. 孟兆祥等人[2]讨论了反应 种材料具有优良的理化特性, 热导率高、电子饱和漂 室内GaCl 和NH3 管道空间配置对气体在衬底表面浓 移速度大、击穿场强高、介电常数小、硬度高、化学 度分布的影响. Segal 等人[3] 的模拟结果表明GaN 的 稳定性好. 此外, GaN 与相关的三族氮化物InN, AlN 沉积速率与GaCl 气体流量呈线形关系[3]. Dam 等人[4] 可以形成连续合金, 通过组分调节, 可以获得 模拟了卧式氢化物气相外延系统外延生长 GaN, 提 0.7~6.2 eV 连续可调的直接带隙, 因此利用三族氮化 出改变GaCl 出口的倾斜角度可以改变GaN 沉积的速 物单一材料体系就可以制备覆盖从近红外到深紫外 率和均匀性. 随后他们进一步讨论了载气、重力以及 波段范围的光电器件. 由于上述特性, GaN 材料在光 扩散系数等因素对GaN 沉积的影响[5]. Richter 等人[6] 电、高温、高功率器件等领域的应用前景备受关注. 通过模拟优化反应器内部结构和生长参数, 成功生 氢化物气相外延由于具有生长工艺简单, 生长 长了超过 100 μm 无裂缝的 GaN 薄膜. Kempisty 等 速率快等优点, 成为目前用于外延生长 GaN 材料的 人[7]模拟