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台湾物理研究发展概述（中） 　　凝聚态物理 　　据统计，在台湾从事凝聚态（固体）物理研究的人员约占物理总研究人员的一半左右，几乎所有岛内大学的物理学系/所都开展这方面的研究，主要集中在高温超导体与磁性材料、光电材料、半导体、表面物理特性、液晶、薄膜、纳米材料、非线性光学材料和超快光源等领域的研究，其成果数不胜数。 　　例如在高温超导体与磁性材料方面，以往研究成果包括：进行单电子晶体管及自旋磁电子穿隧实验，研究穿隧效应及自旋磁电子等的磁阻、元件制作及理论，发现超导、磁性及穿隧与介面有重要的影响；开展磁性薄膜的磁化结构及磁化过程实验研究，了解磁性超晶格及多层膜等复合结构的物性、穿隧磁电阻的物理机制、交换偏耦合、纳米庞磁阻薄膜及如何制作磁性动态随机存取存储器；以高难度的微样品比热技术，在新超导硼化镁材料上，证明特殊超导能隙；利用先进的电子束微影技术，制作一维阵列的极微小超导量子干涉元件，再用外加磁场控制超导耦合能量的大小，控制超导绝缘的相变；计算第二类超导的Vortex液体与固体的比热与磁性，验证高温超导自旋扰动对穿隧光谱效应；首次发现磁性耦合的最佳化机制；利用核磁共振对镓同位素样品进行研究，发现磁性、弛豫时间与拉摩频率有关；发现镧系超导材料的比热与温度比函数在2K以下有一个不寻常的凹陷；精确计算第二类超导体涡流的磁化率与比热；发现在一系列铈铝合金中的磁序与近藤（Kondo）效应共存现象；观察到超微小物质尺寸变小至纳米尺寸后产生的磁相转变效应；磁性-超导-磁性单电子晶体管的自旋传输；一维约瑟芬矩阵的超导-绝缘量子相变等。 　　继2008年初日本东京工业大学细野英夫等人首次发现铁基超导体，推翻磁性材料不可能超导的假设之后不久，台湾中研院物理所超导体研究团队在同年创新发现一种结构更简单、且安全无毒、更容易制造的铁基超导材料，目前的超导转变温度为绝对温度30K，颠覆了以往科学界一直认为只有像铜氧化物这类反铁磁绝缘体才能成为高温超导体的认知。该研究团队还发现，通过电化学方法调整其中钾离子含量，可以改变这类铁基超导材料的电性或超导性，甚至在6K以下进入了新发现的“磁玻璃”物理态。 　　2010年，台湾大学研究团队与加拿大科学家合作，利用同步辐射光源及中子散射实验，成功探测出氯化氧钛与溴化氧钛磁性材料中磁矩对的形成细节，特别是在磁偶对形成之前的先期交互作用，同时该团队也头一次发现了磁激态单态到三重态的证据，显示这些磁矩在低温时会形成一特殊成对磁矩而进入更低能态。 　　在磁性半导体与磁性绝缘体中，磁振子-声子经由薄膜样品基板的交互作用扮演重要的角色。中研院物理所李尚凡等人2011年首次以实验证实，藉由热激发的非对称自旋电动势也可经由垂直膜面的温度差来驱动。此发现有助了解热激发自旋电子学的机制与过程，证明了垂直膜面的温度梯度所导致的异常能斯特效应是所观测到信号的主要成因。 　　在光电材料与半导体特性方面，台湾科学家以往的研究成果包括：研制新型具极宽光学增益频宽的Ⅲ-Ⅴ族半导体发光元件，研究其发光物理机制；发现带有涡旋相位的光束在自聚焦材料中形成空间光孤子，打破以往认为带有此种相位的光孤子因径向不稳定性而不能存在的理论；首次观测到Q开关微型固态薄膜激光中所出现的光孤子行为；研制应用于超荧光发光二极管和极短脉冲宽度的锁模二极管激光；利用飞秒激光技术研究宽能隙氮系半导体薄膜的近能隙载子和声子动态，发展薄膜特性多光子显微分析技术；利用改良式电子绕射/成像光学技术，比热测量研究前瞻性液晶分子薄膜的相变和结构，增进对软材料的分子构形和其凝态结构的了解；发展多光子共焦光学显微术在半导体薄膜及生医检测方面的应用；利用X光吸收光谱方法，测量含氮钻石薄膜的原子、电子结构与电性；用扫描隧道电子显微镜观察磊晶生长的机制，发现可于室温下在硅表面生长平坦的锗薄膜；发现在适当的成长条件下，金属镓会在硅表面结聚出大小约1纳米结构特别稳定的奇异原子团；以半导体硅制作的单电子晶体管；异植结构砷化镓/铝砷化镓元件的自旋注入现象；二维硒化镉光子晶体制作；探讨在金属表面上各种原子团扩散行为的理论基础；发现硅表面上的硅奇异原子团随着电流而产生的异常流动现象；发现离子轰击钻石表面会发生一种自发性的纳米波纹结构等。 　　同步辐射中心黄迪靖等人利用同步辐射光源，克服多层技术瓶颈，发展尖端软X光吸收与共振散射实验技术，研究前瞻性材料的微观电子与磁性结构。例如首次发现四氧化三铁电荷及轨域有序排列的决定性实验证据，揭开其金属转变为绝缘体之谜，解决过去60多年来科学界的争议。 　　台湾“中央”大学研究团队2007年利用低密度铟砷化镓量子点完成高品质的光子晶体单光子光源之后，进一步制作高稳定温度的单光子光源，操作温度范围在7至60K之间，单光子辐射纯度在85%以上，适合量子密码的应用。