宽禁带半导体光电材料研究进展.docVIP

宽禁带半导体光电材料的研究及其应用 宽禁带半导体材料（Eg大于或等于3.2ev）被称为第三代半导体材料。主要包括金刚石、SiC、GaN等。和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有禁带宽度大，电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好具有更高的击穿电场、更高的抗辐射能力的特点，其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中潜在的巨大前景，非常适用于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。 半导体InN、GaN 和A lN 的能带都是直接跃迁的, 在性质上相互接近, 它们的三元合金的带隙从119 eV 到612 eV 很宽的范围内变化,具有优异的特性, 如高热导、优良的光学、电学性质和良好的材料机械性质和高电子饱和速度等。因为直接带隙材料的光跃迁几率比间接带隙的高约一个数量级, 又上宽带隙, 因此GaN 基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景。目前, 正在研制由GaN 材料制成的高性能器件主要分为两类:光电器件和电子器件。光电器件已经占领了GaN 产品的主要市场 宽禁带GaN 基半导体材料研究的几个重大突破为实现GaN 基半导体器件, 最基本的是生长高质量的材料和结构以及控制其电导率。由于缺乏品格常数匹配、热胀系数接近的热稳定的衬底材料, 要生长平坦而没有裂纹的高质量GaN 外延层是非常困难的, 而且非故意掺杂的GaN 外延层一般呈电子浓度很高的n 型, 而p 型GaN 外延层又难以获得。因此1985 年以前的20多年间, GaN 的研究进展十分缓慢。近10 多年来, GaN 材料研究接连取得的重大突破, 大大推动了GaN 基器件的 发展GaN基发光L ED 的应用及市场前景高亮度蓝光L ED 的商品化使动态信息显示平板实现全色显示全色动态信息显示平板可以广泛的应用于体育场馆、车站、机场、工商业等行业的大型和超大型全色显示屏, 而蓝光L ED 是实现全色平板显示的关键器件, 是全色显示器件中价格昂贵的器件。目前仅国内广告业、机场、车站需要的大型显示屏的年成交额达数亿元人民币, 而且该市场仍在以每年约4 倍的增长速度迅速发展。 照明光源实现固体器件化全色超高亮度L ED 的商品化带来了照明技术的一场革命。利用组成变化可以发出波长连续可调 的各种色光, 构成全色光源。目前利用超高亮度L ED 已可以制成最大亮度达到500 cd? m2的白色平板光源, 成为新一代的照明光源, 其耗电量仅相当于相同亮度白炽灯(寿命约为6~12 月) 的l0%~20% , 而其寿命为5~10 年。这种体积小、重量轻方向性好、节能、长寿命、耐各种恶劣条件的新型固体光源对传统的光源市场造成冲击。目前普遍采用LU COL ED 技术制造白光L ED , 即在封装材料中添加某种荧光物质(如磷光物质或某种荧光染色体物质) , 该荧光物质可以在蓝光L ED 的激励下发射橙黄光, 利用蓝光和橙黄光的混合得到白光。 以高亮度L ED 取代信统的信号指示灯传统的公路、铁路的交通信号灯、警示灯、标志灯和各类汽车的指示灯, 采用白炽灯加油光片的方法实现各色指示或显示, 对光能的利用率很低(最高为50% ) , 而采用高亮度L ED 不仅响应速度快、寿命长、抗震、耐冲击, 而且高效节能。目前日本已用高亮度红黄蓝L ED 像素灯作为交通信号灯, 其耗电量仅为原来的12%。以高亮度的L ED 作为汽车的外部指示灯, 不仅可以降低汽车用于发电的油耗, 使每加仑油耗的里程数增加一公里; 而且以L ED 作为汽车尾部的高位刹车灯, 由于其内应速度极快, 可以使行驶速度为60 KM /H 的汽车的刹车距离增加4 码, 从而大大降低了交通事故的发生概率。随着 照明技术的不断进步, 汽车用照明和指示设备有可能在未来年以内全部被L ED 器件取代。 氧化锌是一种新型直接带隙宽禁带化合物半导体材料具有优异的光学和电学特性具备了发射蓝光或近紫外光的优越条件 氧化锌薄膜的高电阻率与单一的 C 轴结晶择优取向决定了它具有良好的压电常数与机电耦合系数袁可用作各种压电电声与声光器件因具有电阻率随表面吸附的气体浓度变化的特点氧化锌薄膜还可以用作制备表面型气敏元件 41 短波长发光材料 由于以往的制备工艺很难制出高质量的氧化锌薄膜限制了氧 化锌作为发光材料的应用近年来随着材料生长工艺的改进制备高质量低缺陷的氧化锌薄膜成为可能香港科技大学汤子康等成功实现了纳米结构氧化锌半导体氧化锌薄膜的室温紫外激光发射遥该研究巧妙地利用激子在纳米结构中的量子尺寸效应以及自然生长的微结构谐振腔, 首次在纳米结构的氧化锌半导体薄膜中观测到了室温紫外激光发射氧化锌半导体薄膜是用激光分子束外延技术生长在蓝宝石衬底上的薄膜