刻蚀aln缓冲层对硅衬底n极性n-gan表面粗化的影响王-物理学报.pdfVIP

刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN 表面粗化的影响 王光绪 陈鹏 刘军林 吴小明 莫春兰 全知觉 江风益 InfluenceofetchingAlNbufferlayeronthesurfacerougheningofN-polarn-GaNgrownonSisubstrate Wang Guang-Xu Chen Peng Liu Jun-Lin Wu Xiao-Ming Mo Chun-Lan Quan Zhi-Jue Jiang Feng-Yi 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,088501(2016) DOI: 10.7498/aps.65.088501 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.088501 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I8 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin TiO 微粒对远程荧光粉膜及白光发光二极管器件光色性能的影响 Investigation of photo-chromic properties of remote phosphor film and white light emitting diode mixed withTiO particles 物理学报.2016,65(5): 058501 /10.7498/aps.65.058501 利用单层密排的纳米球提高发光二极管的出光效率 Light-extractionenhancementofGaN-basedLEDsbyclosely-packed nanospheres monolayer 物理学报.2015,64(14): 148502 /10.7498/aps.64.148502 利用温变电容特性测量发光二极管结温的研究 Junctiontemperaturemeasurementoflight-emittingdiodesusing temperature-dependent capacitance 物理学报.2015,64(11): 118501 /10.7498/aps.64.118501 晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响 Effect of wafer bonding and laser liftoff process on residual stress of GaN-based vertical light emitting diodechips 物理学报.2015,64(2): 028501 /10.7498/aps.64.028501 光致电化学法提高垂直结构发光二极管出光效率的研究 Increase in light extraction efficiency of vertical light emitting diodes by a photo-electro-chemical etching method 物理学报.2015,64(1): 018501 /10.7498/aps.64.018501 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 8 (2016) 088501 刻蚀AlN缓冲层对硅衬底N极性n-GaN 表面粗化的影响 刘军林 吴小明 莫春兰 全知觉 江风益 王光绪 陈鹏 (南昌大学, 国家硅基LED 工程技术研究中心, 南昌 330047) ( 2015 年10 月8 日收到; 2016 年1 月2 日收到修改稿) 研究了等离子体刻蚀AlN 缓冲层对硅衬底N 极性n-GaN 表面粗化行为的影响. 实验结果表明, 表面AlN 缓冲层的状态对N 极性n-GaN 的粗化行为影响很大, 采用等离子体刻蚀去除一部分表面AlN 缓冲层即可以 有效提高N 极性n-GaN 在KOH 溶液中的粗化效果, AlN 缓冲层未经任何刻蚀处理的样品粗化速度过慢, 被 刻蚀完全去除AlN 缓冲层的样品容易出现粗化过头的现象. 经X 射线光电子能谱分析可知, 等离子体刻蚀能 够提高样品表面AlN 缓冲层Al 2p 的电子结合能,