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李曾多晶硅的生产工艺及发展前景

云南广播电视大学 云南国防工业职业技术学院 毕业设计说明书(论文) 作 者: 李 曾 学 号: 20091108112 学院(系): 化学工程学院 专 业: 应用化工技术 题 目: 多晶硅生产工艺及发展前景 指导者: 周 明 善 职 称: 副 教 授 2011 年 10 月 摘 要 多晶硅是单质硅的一种形态。通过物理或化学方法使硅原子以金刚石晶格形态形成晶核,当晶核长成晶面取向不同的晶粒,则结晶成多晶硅。 目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有:改良西门子法、硅烷法和流化床法多晶硅的工艺主要包括三氯氢硅合成、四氯化硅的热氢化,精馏,还原,尾气回收等。Summary of Polysilicon is a form of elemental Silicon. By physical or chemical methods make the silicon atoms in lattice formation nucleation of diamond when nuclei grow into different grain Crystal surface orientation, crystallization Polysilicon. International main traditional Polysilicon production process: improvement by Siemens, Silone and fluidized bed law, this article is to introduce improved by Siemens. Polysilicon production process includes: three hydrogen Silicon chlorine hot hydrogenation synthesis, Silicon tetrachloride, rectification, restoration of tail gas recovery. As the world semiconductor industry and rapid development of solar energy photovoltaic industry, poly-SI market is growing rapidly. Chinas solar industry there has been growing in the same period. Key words: poly-SI,production,process development 目 录 摘 要 1 Abstract 2 1 绪论 6 1.1多晶硅的概念 6 1.2 多晶硅的生产概况 6 1.3 多晶硅的发展概况 7 1.3.1 硅材料的发展概况 7 1.3.2 国内多晶硅产业概况及未来发展 8 2多晶硅的生产工艺 10 2.1改良西门子法的简介 10 2.2 三氯氢硅氢还原反应基本工艺流程 12 2.3生产多晶硅的主要原料 14 2.3.1三氯氢硅的性质 14 2.3.2氢气的性质 15 2.4 生产多晶硅的原料质量要求 16 3 SiHCI3氢还原工艺 17 3.1 三氯氢硅还原反应原理 17 3.2 影响SiHCI3氢还原反应产率的因素 18 3.2.1 氢还原反应沉积温度 18 3.2.2 混合气配比 19 3.2.3 反应气体流量 19 3.2.4 还原反应时间 20 3.2.5 硅表面积 20 3.2.6 硅棒电流电压的关系 21 3.3 三氯氢硅氢还原中的主要设备及控制 21 3.3.1 蒸发器 21 3.3.2 还原炉 23 4 多晶硅的质量标准及用途 25 4.1 硅棒质量问题及原因 25 4.1.1 原料对多晶硅质量的影响——三氯氢硅 26 4.1.2 原料对多晶硅质量的影响——氢气 26 4.1.3 反应温度的影响 27 4.1.4 混合气配比的影响 27 4.1.5 设备洁净条件的影响 27 4.1.6 其他 28 4.2 多晶硅的用途 28 5 多晶硅的发展前景 29 5.1 多晶硅发展现状 30 5.1.1 多晶硅行业发展景气度较高 30 5.1.2 国际多晶硅企业竞争情况 30 5.1.3 国内多晶硅企业竞争情况 31 5.1.4 我国多晶硅行业发展政策 31 5.2 多晶硅需求前景预测 32 5.2.1 国际多晶硅需求前景 32 5.2.2 中国多晶硅发展前景 32 5.3 多晶硅行业发展趋势

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