第5章msp430单片机片内外设及其应用5flash.pptVIP

1.擦除操作 FLASH存储器各位缺省值为1，要对FLASH写入数据，必须先擦除相应的段，对FLASH存储器的擦除必须是整段地进行，可以一段一段地擦除，也可以多段一起擦除，但不能单个字节或字地擦除。擦除之后各位为1.写入和读出是按字或字节进行操作的。同时在FLASH存储器擦除与写入时不能对其进行访问。 * 擦除操作的顺序如下： ① 选择适当的时钟源和分频因子，为时序发生器提供正确时钟输入。 ② 如果Lock=1，则将它复位。 ③ 监视BUSY标志位，当BUSY=0时执行④，否则一直监视BUSY。 ④ 如果擦除一段，则设置ERASE=1，如果擦除多段，则设置MERAS=1，如果整个FLASH全擦除，则设置RASE=1同时MERAS=1。 ⑤ 对擦除的地址范围内任意位置做一次空写入，用以启动擦除操作。如果空写的地址在在不能执行擦除操作的段地址范围内，则写入操作不起作用。 * 擦除操作只有在满足下列条件时才能正确完成： ① 在擦除周期，选择的时钟源时钟有效。 ② 在擦除周期，不修改分频因子，如果时钟源改变或分频因子改变，容易引起FLASH擦除时序的失控。 ③ 在BUSY=1期间不再访问所操作的段，包括读取，写入和再一次的擦除。如果发生这些操作，会使KEYV置位，并产生NMI中断。 ④ 电源电压应符合芯片的相应要求，只允许有较小的容差。电压的跌落容易使电压超出正常的范围，而不能完成操作。 * 在实际使用中，对FLASH的擦除要做4件事： ① 对FLASH控制寄存器写入适当的控制位。 ② 监视BUSY位 ③ 空写一次 ④ 等待 * 擦除周期如图所示： * 2.FLASH编程操作 FLASH存储器主要用于保存用户程序或重要的数据、信息等一些掉电后不丢失的数据，只有通过对FLASH的编程操作，才能将这些数据写入FLASH存储器。有两种方式可以对FLASH编程：单个字或字节写入，多个字或字节顺序写入或块写入。 * 对FLASH编程按如下顺序进行： ① 选择适当的时钟源及合适的分频因子。 ② 如果Lock=1，将它复位。 ③ 监视BUSY位，直到BUSY=0时才可进入下一步。 ④ 如果写入单字或单字节，则将设置WRT=1。 ⑤ 将数据写入选定地址时启动时序发生器，在时序发生器的控制下完成整个过程。 * 块写入可用于在FLASH段中的一个连续存储区域写入一系列数据。一个块为64Bytes，如图所示。块开始在0XX00h、0XX40h、0XX80h、0XXC0h等地址，块结束在0XX3Fh、0XX7Fh、0XXBFh、0XXFFh等地址。可以写入连续数据的存储器块为：0XX00h~0XX3Fh、0XX40h~0XX7Fh、0XX80h~0XXBFh、0XXC0h~0XXFFh。块写操作在64字节的分界处需要特殊的软件支持： * ① 等待WAIT位，指导WAIT=1，表明最后一个字或字节写操作结束。 ② 将控制位BLKWRT复位。 ③ 保持BUSY位为1，直到编程电压撤离FLASH模块 ④ 在新块被编程之前，等待trcv（编程电压恢复时间）。 * 在写周期中，必须保证满足以下条件： ① 被选择的时钟源在写过程中保持有效。 ② 分频因子不发生改变。 ③ 在BUSY=1期间，不访问FLASH存储器模块。 对FLASH的写入要做4件事： ① 对FLASH控制寄存器写入适当的控制位 ② 监视BUSY位。 ③ 写入一个数据。 ④ 继续写一直到写完。 * 单字或单字节写入控制时序如图所示： * 块写入的控制时序 * 3.FLASH错误操作及其处理 在写入FLASH控制寄存器控制参数时，可引发以下错误： 如果写入高字节口令码错误，则引发PUC信号。小心操作可避免。 在对FLASH操作期间读FLASH内容，会引发ACCVIFG状态位的置位，引起NMI中断。小心操作可避免。 因为在对FLASH操作期间，需要较长的时间，如果这时看门狗定时器的数据将近尾声，则看门狗定时器溢出。建议用户程序在进行FLASH操作之前先停掉看门狗定时器，等操作结束之后再打开。 所有的FLASH类型的MSP430器件的0段都包含有中断向量等重要的程序代码，如果对其进行擦除操作，将会引起严重的后果。建议用户程序在进行FLASH操作之前，先将该段的重要数据保存到RAM中或写入到其它未用的段中，等待该段操作完毕再还原那些数据；同时一定不要使正在执行的程序处在正要被擦除的段中；也不要在FLASH操作期间允许中断的发生。 * FLASH模块宏定义 #define FCTL1_ (0x0128) /* FLASH Control 1 */ DEFW( FCTL1 , FCTL1_) #define FCTL2_ (0x012A